[发明专利]微孔金属箔及其制造方法

权利要求书

1.一种微孔金属箔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层，在所述金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层，以形成覆膜金属箔；

S2、使用荷能重离子对所述覆膜金属箔进行辐照，以在所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层内形成离子径迹；

S3、对辐照后的所述覆膜金属箔进行蚀刻，以在所述覆膜金属箔上形成微孔；

S4、去除经过蚀刻后的所述覆膜金属箔表面的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，得到微孔金属箔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：

通过涂布、喷涂或覆膜的方式将所述第一掩膜层和所述第二掩膜层覆盖到所述金属箔的第一表面和第二表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：

利用高分子聚合物材料形成所述第一掩膜层与所述第二掩膜层中至少一个；

所述高分子聚合物材料为对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层与所述第二掩膜层由相同或不同的材料制成。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，

所述金属箔为铜箔、铝箔、镍箔、不锈钢箔或镁箔，所述金属箔厚度为2μm至100μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中：

所述第一掩膜层与所述第二掩膜层的厚度相同或不同。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层或所述第二掩膜层的厚度为1μm至50μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，

使用荷能重离子对所述覆膜金属箔进行辐照的步骤包括：使所述荷能重离子的运动方向与所述覆膜金属箔所在的平面垂直。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤S2包括：

使所述荷能重离子贯穿所述第一掩膜层或所述第二掩膜层，在被贯穿的所述第一掩膜层或所述第二掩膜层内形成离子径迹；或者

使所述荷能重离子贯穿所述金属箔并贯穿所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，在所述第一掩膜层和所述第二掩膜层内均形成离子径迹。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤S2包括：

通过遮挡板遮挡所述荷能重离子，在所述遮挡板内设置有特定图案的通孔组合，使得所述覆膜金属箔仅有局部能受到辐照。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3包括：

利用第一蚀刻液对辐照后的所述覆膜金属箔进行蚀刻；或者

先利用第一蚀刻液对所述覆膜金属箔表面的所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层进行蚀刻，再利用第二蚀刻液对所述覆膜金属箔内部的金属箔进行蚀刻。

12.一种根据权利要求1-11中任一项所述的方法制造而成的微孔金属箔。