[发明专利]承载装置和工艺腔室在审
申请号: | 201910417266.9 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN111968938A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 贾立松 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 工艺 | ||
本发明提供一种承载装置和工艺腔室,包括可旋转的承载盘和旋转升降机构,旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置,承载盘上设置有沿其周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位;各个第一工位的中心设置有沿承载盘的厚度贯通的第一通孔;旋转轴与第一通孔的数量相同并一一对应,且能够穿过与其对应的第一通孔,旋转轴的顶端具有用于承载晶片的承载面;升降驱动装置用于驱动所有旋转轴同步上升或下降,使旋转轴的顶端高于或低于第一工位所在平面;旋转驱动装置用于驱动所有旋转轴同步自转第一预设角度。本发明提供的承载装置和工艺腔室,能够降低晶片整体沉积速率的差异,降低晶片整体成膜厚度的差异,提高晶片表面的均匀性。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种承载装置和工艺腔室。
背景技术
目前,在半导体加工工艺的晶片取放过程中,通常是通过增加单次工艺的晶片放置量或者采用多站流动式取放片模式,分步沉积,以提高半导体加工设备的产能。但是,单次大量放置晶片模式仅适用于对晶片间均匀性要求不高的工况,且需要人工取放晶片,自动化程度不高;而多站流动式取放片模式,则可以适用于对晶片间均匀性要求较高的工况,且一次可按要求装载定量晶片,适用于大批量自动化生产工况。
如图1所示,在现有技术中,适用于多站流动式取放片模式的半导体加工设备中,机械手102控制手指103将片盒101内的晶片105传递至反应腔104中,反应腔104内设有加热器108、传片机构和多个喷淋头106,传片机构通过控制叉指107升降,将手指103上的晶片105传递至加热器108上,并通过控制叉指107旋转,使晶片105在加热器上的多个工位移动,分步沉积,多站流动式取放片模式具体流程为:叉指107将晶片105从手指103上传递至多个喷淋头106中对应传片位置的喷淋头106的工艺位置,进行第一次工艺,在第一次工艺结束后,叉指107携带晶片105上升,并旋转至下一个喷淋头106的工艺位置,进行第二次工艺,在第一次工艺结束后至第二次工艺开始之前,通过手指103和叉指107将另一个晶片105传递至位于对应传片位置的喷淋头106的工艺位置,进行第一次工艺,重复上述步骤,当一个晶片105经过所有喷淋头106后,通过叉指107和手指103将该晶片105传回片盒101,从而完成对一个晶片105的加工。
但是,在现有技术中,由于加热器108边缘处的气流分布与加热器108中心处的气流不均匀,以及边界效应的影响,会使晶片105边缘区域的沉积速率慢于晶片105中间区域的沉积速率,导致晶片105边缘区域的成膜与晶片105中间区域的成膜相比较薄,影响晶片105表面的均匀性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种承载装置和工艺腔室,其能够降低晶片整体沉积速率的差异,降低晶片整体成膜厚度的差异,提高晶片表面的均匀性。
为实现本发明的目的而提供一种承载装置,包括:可旋转的承载盘和旋转升降机构,所述旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置,其中,在所述承载盘上设置有沿所述承载盘的周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位;且各个所述第一工位的中心设置有沿所述承载盘的厚度贯通的第一通孔;
所述旋转轴的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置,所述旋转轴能够穿过与其对应的所述第一通孔,且所述旋转轴的顶端具有用于承载所述晶片的承载面;
所述升降驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步上升或下降,以使所述旋转轴的顶端高于或低于所述第一工位所在平面;
所述旋转驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步自转第一预设角度。
优选的,所述升降驱动装置包括升降架和升降驱动源,其中,所述升降驱动源与所述升降架连接,用于驱动所述升降架作升降运动;
各个所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在所述升降架上,且所述旋转轴在其轴向上与所述升降架相对固定。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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