[发明专利]存储器设备及其操作方法

说明书

包括连接到多个字线的多个存储器单元的存储器设备的操作方法，该操作方法包括：从外部设备接收第一激活命令，在接收第一激活命令之后从外部设备接收至少一个操作命令，在接收至少一个操作命令之后接收预充电命令，并且在接收预充电命令之后从外部设备接收第二激活命令。当至少一个操作命令不包括写入命令时，在从接收预充电命令的时间起经过第一预充电参考时间之后接收第二激活命令。当至少一个操作命令包括写入命令时，在从接收预充电命令的时间起经过第二预充电参考时间之后接收第二激活命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0076893的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明构思的各种示例实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及存储器设备、半导体存储器系统、和/或其操作方法。

背景技术

半导体存储器被分类成：易失性存储器设备，其中储存的数据当用于易失性存储器设备的电源被中断时消失，诸如静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)和/或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)等；和非易失性存储器设备，其中即使当用于非易失性存储器设备的电源被中断时也保留储存的数据，诸如闪存设备、相变RAM(phase-change RAM，PRAM)、磁RAM(magnetic RAM，MRAM)、电阻式RAM(resistive RAM，RRAM)、和/或铁电RAM(ferroelectric RAM，FRAM)等。

因为DRAM设备具有快速操作速度，所以DRAM设备被广泛用作计算系统的缓冲存储器、系统存储器、或工作存储器。在存储器控制器的控制之下，一般的DRAM设备激活字线并且对连接到激活的字线的存储器单元执行读取/写入操作。在这种情况下，由于提供给字线的高电压，在存储器设备内发生各种干扰，从而使存储器设备的可靠性低。

发明内容

本发明构思的各种示例实施例提供了具有改进的可靠性的存储器设备和/或其操作方法。

根据至少一个示例实施例的存储器设备的操作方法，该存储器设备包括连接到多个字线的多个动态随机存取存储器(DRAM)单元，该方法：从外部源接收第一激活命令，从外部源接收至少一个操作命令，接收预充电命令，确定该至少一个操作命令是否包括写入命令，并且基于确定的结果，在经过第一预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令，或者在经过第二预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令，该第一预充电参考时间段在接收到预充电命令的时间处开始，该第二预充电参考时间段在接收到预充电命令的时间处开始。

根据至少一个示例实施例的存储器设备的操作方法，该存储器设备包括连接到多个字线的多个存储器单元，该方法包括：从外部源接收激活命令，从外部源接收至少一个操作命令，确定该至少一个操作命令是否包括写入命令，并且基于确定的结果，将对应于写入命令的写入数据写入到连接到多个字线当中的选择字线的选择存储器单元。

根据至少一个示例实施例，存储器设备包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括连接到多个字线和多个位线的多个存储器单元；行解码器，被配置为基于来自外部源的行地址选择多个字线当中的选择字线；列解码器，被配置为基于来自外部源的列地址选择多个位线当中的选择位线；输入/输出电路，连接到多个位线并且被配置为与外部源交换数据；命令解码器，被配置为解码从外部源接收的激活命令、至少一个操作命令、和预充电命令；写入命令检测器电路，被配置为基于命令解码器的解码结果从至少一个操作命令检测写入命令；和控制逻辑电路，被配置为响应于激活命令激活选择字线，并且响应于检测到写入命令，该控制逻辑电路进一步被配置为，在接收预充电命令之后，将对应于写入命令的写入数据写入来自多个DRAM存储器单元当中的选择存储器单元，该选择存储器单元连接到选择字线。