[发明专利]具有虚设通道区的垂直存储装置

权利要求书

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

第一基底，包括多个外围电路装置；

第二基底，位于第一基底上；

多个栅电极层和多个绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；

通道区，包括多个第一通道区和多个第二通道区，所述多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，所述多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及

分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，

其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区

所述至少两个第一通道区和所述至少两个第二通道区中的每者包括第一虚设通道区和第二虚设通道区，第一虚设通道区与栅电极层的远离通道区的第一端相邻，第二虚设通道区与通道区相邻，并且

其中，第一虚设通道区不包括外延图案，第二虚设通道区的下部包括外延图案。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少两个第一通道区和所述至少两个第二通道区以之字形图案设置。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二虚设通道区直接接触第二基底。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少两个第一通道区设置在分隔绝缘层的第一侧上，使得通道区不位于所述至少两个第一通道区中的每个与分隔绝缘层之间。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少两个第二通道区设置在分隔绝缘层的第二侧上，使得通道区不位于所述至少两个第二通道区中的每个与分隔绝缘层之间。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个栅电极层在第二方向上延伸不同的长度。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，分隔绝缘层在第二方向上延伸到所述多个栅电极层中的至少一个的端部。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个外围电路装置电连接到第一通道区和第二通道区以及栅电极层的至少一部分。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一基底为单晶硅基底，第二基底为多晶硅基底。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一虚设通道区包括贯穿栅电极层中的最下面的栅电极层的相应环形通道区。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括多条位线，其中，除了虚设通道区之外的第一通道区和第二通道区电连接到所述多条位线中的相应位线。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括多个多晶硅层，所述多个多晶硅层设置在第一通道区和第二通道区中的对应通道区上并且直接接触所述对应通道区，其中，所述多个多晶硅层在第一方向上设置在最上面的绝缘层上方。