[发明专利]聚苯硫醚基电磁屏蔽复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910417896.6 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN110128825B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 王孝军;曹轶;杨杰;杨家操;龙盛如;张刚 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C08L81/02 分类号: C08L81/02;C08L81/06;C08K7/00;C08K3/04;C08K9/10;H05K9/00
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 刘文娟
地址: 610065 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 聚苯硫醚基 电磁 屏蔽 复合材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:该复合材料是由以下重量份的组分制备而成的具有双逾渗结构的复合材料:聚苯硫醚60~90份,聚芳硫醚砜10~40份,石墨烯纳米片0.5份~3份。

2.根据权利要求1所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:该复合材料由以下重量份的组分制备而成:聚芳硫醚砜10份,石墨烯纳米片3份,聚苯硫醚颗粒90份。

3.根据权利要求1或2所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于,所述聚苯硫醚基复合材料采用下述制备方法制得:

a、石墨烯纳米片分散于聚芳硫醚砜中,得到导电逾渗相;再将该导电逾渗相包覆于聚苯硫醚颗粒表面,得到复合颗粒;

b、复合颗粒热压成型,得到聚苯硫醚基电磁屏蔽复合材料。

4.根据权利要求3所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:聚苯硫醚颗粒粒径为240~265μm。

5.根据权利要求3所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:a步骤的分散和包覆均在溶剂中进行,然后除去溶剂,得到复合颗粒。

6.根据权利要求5所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮。

7.根据权利要求6所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:a步骤具体操作为:将聚芳硫醚砜、石墨烯纳米片以及溶剂混合,搅拌并加热使聚芳硫醚砜溶解,形成两者的混合物,后加入聚苯硫醚搅拌0.5~3h,然后去除溶剂,得到复合颗粒。

8.根据权利要求7所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:加热温度为80~150℃。

9.根据权利要求3所述的聚苯硫醚基复合材料在电磁屏蔽材料中的应用,其特征在于:b步骤的热压成型方法如下:270~290℃,5~10MPa下热压5~15min成型。

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