[发明专利]显示装置及薄膜晶体管的制造方法

说明书

本发明提供一种显示装置及薄膜晶体管的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括：(A)提供一基板；(B)在该基板上形成一遮光层，图案化所述遮光层，形成一图案化遮光层；(C)在该基板上形成一缓冲层；(D)在该基板上形成一半导体层，图案化所述半导体层，形成一图案化半导体层；(E)在该基板上形成一绝缘层；(F)在该基板上形成一导电层，图案化所述导电层，形成一图案化导电层；其中，图案化所述遮光层及图案化所述半导体层采用同一掩模。能有效避免显示区域之外薄膜晶体管的光电效应并减少生产过程中的掩模数量。

技术领域

本发明是有关于一种显示装置及显示装置中薄膜晶体管的制造方法，且特别是有关于一种包括遮光层的显示装置及其薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

随着科技的发展，显示装置被广泛应用在许多电子产品上，如手机、平板电脑、手表等。为了提高显示质量，大尺寸、高解析度、高亮度的显示装置应运而生。

显示装置一般在制作有源元件阵列基板的过程中，会在显示区内薄膜晶体管的下方形成一层遮光层以避免薄膜晶体管发生的光电效应。图1A是现有显示装置中薄膜晶体管结构的俯视示意图，图1B是图1A沿A-A’的剖面示意图，图1C是图1A沿B-B’的剖面示意图。如图1A、1B以及图1C所示，薄膜晶体管10包括基板11，在基板11上依序形成有遮光层12、缓冲层13、半导体层14、栅极绝缘层15、第一金属层16、层间绝缘层17以及第二金属层18。其中，在半导体层14两侧形成第一重掺杂区SD以及第二重掺杂区SD，在第一重掺杂区SD以及第二重掺杂区SD之间形成沟道区CH与轻掺杂区N-，第二金属层18通过接触孔19与半导体层14实现电性连接。由图1C可以看出，现有显示装置中薄膜晶体管10的遮光层12仅仅形成在与半导体层14的沟道区CH相对应的位置，且遮光层12较半导体层14略宽。另外，现有的遮光层12和半导体层14是分别通过两个不同的掩模进行图案化所形成的。

因此，如何能有效避免显示区域之外薄膜晶体管的光电效应并减少生产过程中的掩模数量，实为需要解决的问题之一。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种显示装置及薄膜晶体管的制造方法，能有效避免显示区域之外薄膜晶体管的光电效应并减少生产过程中的掩模数量。

本发明实施例的薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：

(A)提供一基板；

(B)在该基板上形成一遮光层，图案化所述遮光层，形成一图案化遮光层；

(C)在该基板上形成一缓冲层；

(D)在该基板上形成一半导体层，图案化所述半导体层，形成一图案化半导体层；

(E)在该基板上形成一绝缘层；

(F)在该基板上形成一导电层，图案化所述导电层，形成一图案化导电层；

其中，图案化所述遮光层及图案化所述半导体层采用同一掩模。

上述的制造方法，其中，图案化所述半导体层的步骤采用过度蚀刻的方式。

上述的制造方法，其中，所述图案化遮光层与所述图案化半导体层完全重叠。

上述的制造方法，其中，所述图案化遮光层的尺寸比所述图案化半导体层的尺寸大。

上述的制造方法，其中，所述遮光层为遮光金属层，可以为钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合。

上述的制造方法，其中，所述半导体层可以为非晶硅、多晶硅。

上述的制造方法，其中，所述薄膜晶体管为显示面板中的薄膜晶体管。

上述的制造方法，其中，所述薄膜晶体管为多工电路中的薄膜晶体管或所述薄膜晶体管为栅极驱动移位寄存器中的薄膜晶体管。