[发明专利]量子点复合物及其制备方法、发光器件及其制备方法

说明书

本发明实施例提供一种量子点复合物及其制备方法、发光器件及其制备方法，该量子点复合物包括核壳量子点以及设置于所述核壳量子点外侧的电子传输材料层，所述电子传输材料层将部分核壳量子点包裹，并将另一部分核壳量子点暴露；本发明解决了电子和空穴形成的激子容易在发光层和电子传输层的界面被淬灭的问题，从而提升量子点发光二极管的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种量子点复合物及其制备方法、发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点是一种重要的低维半导体材料，其三个维度上的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍。量子点一般为球形或类球形，其直径常在2-20nm之间。量子点(QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型LED发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。

量子点发光二极管通常包括具有多个硒化镉纳米晶体的发光层。硒化镉层夹设在电子传输层和空穴传输层之间，向量子点发光二极管施加电场，使电子和空穴移动至硒化镉层中。在硒化镉层中，电子和空穴困在量子点中并复合以发射光子。现有技术的量子点发光二极管使用寿命短，性能低，无法满足用户的需求。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种量子点复合物及其制备方法、发光器件及其制备方法，解决了电子和空穴形成的激子容易在发光层和电子传输层的界面被淬灭的问题，从而提升量子点发光二极管的性能。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种量子点复合物，包括核壳量子点以及设置于所述核壳量子点外侧的电子传输材料层，所述电子传输材料层将部分核壳量子点包裹，并将另一部分核壳量子点暴露。

可选地，所述电子传输材料层将1/2的核壳量子点包裹，并将另1/2的核壳量子点暴露。

可选地，所述电子传输材料层的材料采用金属氧化物。

可选地，所述核壳量子点包括核材料以及将核材料包裹的壳材料。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种量子点复合物的制备方法，包括：

在核壳量子点的外侧形成将所述核壳量子点全部包裹的电子传输材料层，形成复合物半成品；

将非极性溶剂和极性溶剂混合形成分相溶液；

将上述复合物半成品溶入上述非极性溶剂内；

向极性溶剂内加入水相量子点配体，使部分复合物半成品处于极性溶剂内，另一部分复合物半成品处于非极性溶剂内；

将上述部分复合物半成品的电子传输材料层进行刻蚀，使得部分复合物半成品的核壳量子点暴露。

可选地，所述将上述部分复合物半成品的电子传输材料层进行刻蚀，包括

向极性溶剂内加入弱酸，通过弱酸对上述部分复合物半成品的电子传输材料层进行刻蚀。

可选地，所述弱酸包括次氯酸、硼酸、偏硅酸和苯酚中的一种或几种组合。

可选地，所述使部分复合物半成品处于极性溶剂内，另一部分复合物半成品处于非极性溶剂内，包括

向极性溶剂内加入水相量子点配体，使部分复合物半成品处于极性溶剂内，与水相量子点配体进行配体交换。

可选地，上述复合物半成品与上述非极性溶剂按照质量比为1:100-1:2的比例进行混合。

可选地，上述极性溶剂与上述非极性溶剂按照体积比为1:10-10:1的比例进行混合。

可选地，上述水相量子点配体与上述极性溶剂按照质量比为1:10-3:1的比例进行混合。