[发明专利]一种卷绕炭纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于，以链状聚合物为碳前驱体，以无机盐为模板，实现结晶诱导制备卷绕炭纳米片,其包括如下步骤：

a.将链状聚合物与无机盐以1：（0.5~50）质量比均匀溶解于溶剂中混合，链状聚合物与溶剂的质量比为1：（100~5000），将溶剂混合物置于冷冻器中，以-10至-100℃冷冻温度保持24-72小时，冷冻干燥后得固体粉末；

b.将冷冻干燥所得的固体粉末置于炭化炉中进行炭化，在惰性气体保护下升温至200-1800℃进行炭化，升温速率为0.5-20℃/min，炭化时间为0.5-10小时；

c.将炭化所得黑色粉末用去离子水洗涤，然后置于干燥炉中以温度为50-200℃进行干燥，得到长度为5-200μm，厚度为1-200nm，卷绕层数为1-20层的卷绕炭纳米片；

步骤a中，所述的链状聚合物为嵌段共聚物F127、嵌段共聚物F108、嵌段共聚物F68、嵌段共聚物P123或聚乙烯吡咯烷酮中的任一种或几种。

2.根据权利要求1所述的一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于：所述的链状聚合物与无机盐的质量比为1:（1~40）；碳前驱体与溶剂的质量比为1:（500~2000）。

3.根据权利要求1所述的一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述的无机盐为硝酸钾、硝酸钠、或硫酸钠或硫酸钾中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于：：步骤a中，所述的溶剂为去离子水、无水乙醇、或丙酮的任一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述的冷冻温度范围为:-20至-75℃。

6.根据权利要求1所述的一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于：步骤b中，所述的升温速率为0.5-10℃/min。

7.根据权利要求1所述的一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于：步骤b中，所述的炭化温度为250-900℃。

8.根据权利要求1所述的一种卷绕炭纳米片的制备方法，其特征在于：步骤b中，所述的炭化时间为1-4小时。