[发明专利]有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法在审
申请号: | 201910418561.6 | 申请日: | 2014-07-04 |
公开(公告)号: | CN110112197A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 李宽熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光显示装置 辅助电极 阳极 有机层 阴极 近端 远端 开口 电连接 暴露 分隔 基底 穿透 制造 | ||
公开了一种有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括设置在基底上的多个阳极和辅助电极。辅助电极与所述多个阳极分隔开。所述有机发光显示装置还包括:有机层,设置在所述多个阳极上;开口,穿透有机层以暴露辅助电极;以及阴极,设置在有机层和暴露的辅助电极上。阴极电连接到辅助电极。开口具有在近端处的第一宽度和在远端处的第二宽度。远端比近端更靠近辅助电极。第一宽度小于第二宽度。
本申请是向中国国家知识产权局提交的申请日为2014年7月4日的标题为“有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法”的第201410317497.X号申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置包括多个像素。每个像素包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的有机层。有机层可以发射具有与在第一电极和第二电极之间流动的电流对应的亮度级的光。有机发光显示装置通过控制在第一电极和第二电极之间流动的电流来显示期望的图像。
发明内容
根据本发明的示例性实施例,一种有机发光显示装置包括设置在基底上的多个阳极和辅助电极。辅助电极与所述多个阳极分隔开。所述有机发光显示装置还包括:有机层,设置在所述多个阳极上;开口,穿透有机层以暴露辅助电极;以及阴极,设置在有机层和暴露的辅助电极上。阴极电连接到辅助电极。开口具有在近端处的第一宽度和在远端处的第二宽度。远端比近端更靠近辅助电极。第一宽度小于第二宽度。
根据本发明的示例性实施例,一种有机发光显示装置包括具有显示区域和非显示区域的基底。所述有机发光显示装置还包括在基底的显示区域上的多个阳极。所述有机发光显示装置还包括设置在基底的显示区域和非显示区域上的辅助电极。辅助电极与所述多个阳极分隔开。有机层设置在所述多个阳极上。开口穿透有机层以暴露辅助电极。所述有机发光显示装置还包括设置在有机层和暴露的辅助电极上的阴极。辅助电极包括设置在非显示区域中的端部。
根据本发明的示例性实施例,提供一种制造有机发光显示装置的方法。在基底上形成多个阳极和辅助电极。辅助电极与所述多个阳极分隔开。在所述多个阳极和辅助电极上形成有机层。通过向辅助电极施加电压,在有机层中形成开口。开口暴露辅助电极。在有机层和暴露的辅助电极上形成阴极。阴极电连接到暴露的辅助电极。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例,本发明的这些和其它特征将变得更明显,在附图中:
图1是根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图;
图2是沿着图1的II-II'线截取的有机发光显示装置的剖视图;
图3是示出根据本发明的示例性实施例的多个阳极和辅助电极的布置的平面图;
图4是图2的区域IV的放大视图;
图5是示出根据本发明的示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法的流程图;
图6是有机发光显示装置的剖视图,示出根据本发明的示例性实施例的形成多个阳极和辅助电极的操作;
图7是有机发光显示装置的剖视图,示出根据本发明的示例性实施例的形成像素限定层的操作;
图8是示出根据本发明的示例性实施例的形成有机层的操作的流程图;
图9是有机发光显示装置的剖视图,示出根据本发明的示例性实施例的形成空穴注入层的操作和形成空穴传输层的操作;
图10是有机发光显示装置的剖视图,示出根据本发明的示例性实施例的形成有机发光层的操作;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的