[发明专利]存储器元件的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器元件的结构，其特征在于，包括:

隧道层，形成在基板上；

第一氧/氮/氧层，设置在所述基板上，与所述隧道层相邻；

浮置栅，设置在所述隧道层上，其中所述浮置栅的边缘部分也设置在所述第一氧/氮/氧层上；

第二氧/氮/氧层，设置在所述浮置栅上；

控制栅，设置在所述第二氧/氮/氧层上；

隔离层，设置在所述浮置栅的第一侧壁上以及所述控制栅的侧壁上；以及

删除栅，设置在所述第一氧/氮/氧层上，所述删除栅通过所述隔离层与所述浮置栅与所述控制栅隔离。

2.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，还包括垂直介电层在所述浮置栅的所述边缘部分的第二侧壁上，其中所述第二侧壁相邻于浅沟槽隔离结构且与所述第一氧/氮/氧层接合。

3.根据权利要求2所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述垂直介电层占据一空间以减少所述浮置栅的宽度。

4.根据权利要求2所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述垂直介电层包含氧化层与氮化层，叠置在所述第二侧壁。

5.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述隔离层包含第一部分设置在所述浮置栅的所述第一侧壁，以及第二部分设置在所述控制栅的所述侧壁上。

6.根据权利要求5所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述隔离层的所述第一部分是氧化层，且所述隔离层的所述第二部分是第三氧/氮/氧层。

7.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述控制栅没有全部覆盖过所述浮置栅的所述边缘部分。

8.根据权利要求7所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述删除栅包含在顶部区域的凸出部分，覆盖过所述浮置栅的所述边缘部分以及被所述隔离层的一部分隔离。

9.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述基板包含:

主动线，沿着第一方向延伸；以及

浅沟槽隔离线，以隔离所述主动线，

其中所述控制栅是控制栅线且所述删除栅是删除栅线，所述控制栅与所述删除栅延伸于与所述第一方向垂直的第二方向。

10.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述基板包含P型阱区以及在所述P型阱区中的N型阱区，其中所述浮置栅是覆盖过所述P型阱区与所述N型阱区上，且所述删除栅是覆盖过所述N型阱区上。

11.一种制造存储器元件的方法，其特征在于，包括:

在基板上形成隧道层；

在基板上形成第一氧/氮/氧层，与所述隧道层相邻；

在所述隧道层上形成浮置栅，其中所述浮置栅的边缘部分也设置在所述第一氧/氮/氧层上；

在所述浮置栅上形成第二氧/氮/氧层；

在所述第二氧/氮/氧层上形成控制栅；

形成隔离层，在所述浮置栅的第一侧壁上以及所述控制栅的侧壁上；

在所述第一氧/氮/氧层上形成删除栅，其中所述删除栅通过所述隔离层与所述浮置栅与所述控制栅隔离。

12.根据权利要求11所述的制造存储器元件的方法，其特征在于，还包括:

形成垂直介电层在所述浮置栅的所述边缘部分的第二侧壁上，

其中所述第二侧壁是相邻于浅沟槽隔离结构且与所述第一氧/氮/氧层接合。

13.根据权利要求12所述的制造存储器元件的方法，其特征在于，所述垂直介电层占据一空间以减少所述浮置栅的宽度。

14.根据权利要求12所述的制造存储器元件的方法，其特征在于，所述垂直介电层包含氧化层与氮化层，叠置在所述第二侧壁。