[发明专利]一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构

权利要求书

1.一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于，包括：真空外腔室（1），腔室密封圈（2），内腔室密封圈（3），真空外腔室（4），腔室上法兰（5），喷淋电极（6），基片（7），下电极（8），内腔室阀门（9），外腔室阀门（10），真空排气泵组（11），排气管道（12），下电极升降系统（13），排气区（14），反应区（15）； 所述真空外腔室（1）和真空内腔室（4）均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室（4）设置于真空外腔室（1）内；所述喷淋电极（6）和所述下电极（8）及所述基片（7）设置在真空内腔室（4）的内部，所述下电极（8）位于所述喷淋电极（6）的下方，所述基片（7）位于所述下电极（8）的上方；所述真空外腔室（1）和真空内腔室（4）设置有与真空装置连接的排气管道（12）和排气泵组（11）以及下电极升降系统（13）；所述真空外腔室（1）设置有外腔室阀门（10），所述真空内艺腔室（4）设置有内腔室阀门（9）；所述反应区（15），排气区（14）由真空外腔室（1）和真空内腔室（4）及腔室上法兰（5）围合而成。

2.根据权利要求1所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述真空外腔室（1）的腔壁环绕所述的真空内腔室（4）的腔壁设置，且分布其中同一个方向上的腔壁为两者的共用腔壁，其余分布在各个方向上的两者的腔壁之间设置有距离。

3.根据权利要求2所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述共用腔壁为腔室上法兰（5），且通过腔室密封圈（2）及内腔室密封圈（3）与所述的真空外腔为室（1）及真空内腔室（4）构成密封连接，设置方向为上方。

4.根据权利要求3所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于腔室上法兰（5）朝向真空内腔室（4）的一侧设置有凹槽，所述喷淋电极（6）的上部卡装在所述凹槽中。

5.根据权利要求1所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述真空外腔室（1）的下腔壁和所述的真空内腔室（4）的下腔壁的中心位置各设置有一个通孔，两通孔同心分布。

6.根据权利要求1所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述真空内腔室（4）的下腔壁外侧，围绕中心设置有高出的凸台，所述凸台内侧设置有方形或圆形凹槽，所述凹槽与所述凸台同心分布，所述凸台下表面与所述真空外腔室（1）下腔壁的内表面采用非密封固定连接；所述凹槽的上表面与所述的真空内腔室（4）下腔壁内表面构成一定的厚度，并与所述真空外腔室（1）下腔壁的内表面之间设有距离。

7.根据权利要求1所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述反应区（15）由真空内腔室（4）内侧与所述腔室上法兰（5）内侧围合成；所述排气区（14）由真空内腔室（4）下腔壁外侧凹槽与所述真空外腔室（1）下腔壁内侧围合成；并通过真空内腔室（4）下腔壁凹槽中心通孔使所述反应区（15）与所述排气区（14）各自有不同的真空压力。

8.根据权利要求1或6所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述真空外腔室（1）下腔壁设置有一个排气口，且位于排气区内；所述排气泵组（11）及排气管道（12）通过法兰密封结构与所述真空外腔室（1）下腔壁的排气口固定连接。

9.根据权利要求1或5所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述下电极升降系统（13）通过真空密封结构与所述真空外腔室（1）下腔壁外侧固定连接，并从所述真空内腔室（4）下腔壁中心的通孔中心馈入到所述真空内腔室（4）内，并与所述下电极（8）下部的中间位置固定连接；所述下电极（8）可由所述下电极升降系统（13）驱动沿竖直方向上下移动。

10.根据权利要求1所述的一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于所述真空内腔室（4）两侧腔壁上基片传输口处，设置有内腔室阀门（9），所述内腔室阀门（9）位于所述真空外腔室（1）的内侧，所述真空外腔室（1）两侧腔壁上基片传输口处外侧，设置有外腔室阀门。