[发明专利]一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器有效
| 申请号： | 201910418846.X | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110266179B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 宋振浩;吴鸣;郑楠;吕志鹏;孙丽敬;季宇;李蕊;寇凌峰;赵婷 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00;H02M1/08;H02M7/00 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 变流器 布局 方法 | ||
1.一种SiC MOSFET变流器的布局方法，其特征在于，包括：
所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)，所述SiC MOSFET模块(1)和SiC MOSFET驱动模块(2)位于同一平面；
所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)；
所述布局方法，包括：
SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8)；
所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3)，所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4)；
所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，包括：
控制器(5)与SiC MOSFET驱动模块(2)在直流母排(3)的同一侧，且位于三相电感(8)的上方；
所述布局方法，还包括：
在SiC MOSFET模块(1)的下方设置散热器(6)；
在所述散热器(6)上开设散热器孔/槽口(12)，并将U型母排(11)的一端穿过所述散热器孔/槽口(12)与三相电感(8)连接；
所述U型母排(11)的另一端与SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)连接；
所述布局方法，还包括：
在散热器(6)的一侧安装风扇(9)，所述风扇(9)产生的风从散热器(6)流向三相电感(8)；
所述直流母排(3)垂直于所述SiC MOSFET模块(1)和SiC MOSFET驱动模块(2)的平面。
2.如权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述散热器孔/槽口(12)的数量根据U型母排(11)的数量开凿。
3.一种按权利要求1-2布局的SiC MOSFET变流器，其特征在于，包括：SiC MOSFET模块(1)、SiC MOSFET驱动模块(2)和控制器(5)；
所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)；
所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接。
4.如权利要求3所述的SiC MOSFET变流器，其特征在于，所述SiC MOSFET变流器，还包括：
直流母排(3)、交流端口(7)、U型母排(11)、电容(4)和三相电感(8)；
所述SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8)；
所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3)，所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4)。
5.如权利要求4所述的SiC MOSFET变流器，其特征在于，所述SiC MOSFET变流器，还包括：散热器(6)和风扇(9)；
所述散热器(6)设置在SiC MOSFET模块(1)的下方，所述风扇(9)安装在散热器(6)的一侧。
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
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