[发明专利]硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法

权利要求书

1.一种硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产线，所述混合生产线是在硅半导体产品的生产线的设备增加所述氮化镓产品的专用生产设备组成；

所述硅半导体产品和所述氮化镓产品采用由单晶硅组成的晶圆作为衬底结构；

步骤二、进行所述硅半导体产品和所述氮化镓产品的混合生产，在所述混合生产中，所述氮化镓产品的生产步骤包括：

步骤21、提供所述氮化镓产品所需的晶圆；

步骤22、采用所述氮化镓产品的专用生产设备在所述晶圆上形成具有镓含量的外延层；

步骤23、在完成所有所述具有镓含量的外延层后，对所述晶圆进行背面处理，所述背面处理去除所述具有镓含量的外延层的形成过程中镓对所述晶圆背面产生的污染；

所述氮化镓产品的生产步骤中，在完成步骤23之后，共用所述硅半导体产品的生产线的设备完成后续的所述氮化镓产品的生产。

2.如权利要求1所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：步骤二中，所述硅半导体产品直接采用所述硅半导体产品的生产线的设备进行生产。

3.如权利要求1所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：所述氮化镓产品的专用生产设备包括MOCVD设备。

4.如权利要求3所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：步骤22中，所述具有镓含量的外延层包括氮化镓外延层，所述氮化镓外延层形成在所述晶圆的单晶硅表面。

5.如权利要求4所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：所述氮化镓外延层包括多层结构。

6.如权利要求5所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：所述氮化镓外延层的多层结构包括缓冲层和沟道层。

7.如权利要求6所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：步骤22中，所述具有镓含量的外延层包括氮化铝镓外延层，所述氮化铝镓外延层形成在所述沟道层表面。

8.如权利要求4所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：在采用所述MOCVD设备进行所述氮化镓外延层的外延生产过程中，镓源包括三甲基镓，氮源包括氨气。

9.如权利要求8所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：在采用所述MOCVD设备进行所述氮化镓外延层的外延生产过程中还采用由氢气和氮气的混合气体组成的载气。

10.如权利要求1所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：步骤23中所述背面处理为采用氢氟酸和硝酸的混合液进行背面刻蚀。

11.如权利要求10所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：步骤23中所述背面处理对所述晶圆的背面刻蚀要求将具有镓污染的厚度全部去除，所述晶圆背面的具有镓污染的厚度通过进行镓含量测量确定。

12.如权利要求11所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：采用全反射X射线荧光分析测试方法进行镓含量测量。

13.如权利要求12所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：所述晶圆背面的具有镓污染的厚度为1微米。

14.如权利要求11所述的硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于：所述混合生产线为8英寸生产线。