[发明专利]发光二极管模组及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 201910419429.7 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN110112148A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 岳晗;闫俊伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L33/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背板 外延片 发光二极管外延结构 发光二极管模组 第一电极 衬底 发光二极管芯片 显示装置 制造 图案化处理 第二电极 工艺过程 有效解决 转移效率 微型LED 绑定 保留 对位 迷你 剥离 | ||
一种发光二极管模组及其制造方法、显示装置。该发光二极管模组的制造方法包括:提供背板,该背板包括多个第一电极;提供外延片,该外延片包括衬底和形成在衬底上的发光二极管外延结构;将外延片与背板结合,该外延片的发光二极管外延结构面向该背板的所述多个第一电极;剥离外延片的衬底,使发光二极管外延结构保留在背板上;对保留在背板上的发光二极管外延结构进行图案化处理,形成与多个第一电极分别连接的多个发光二极管芯片;以及在多个发光二极管芯片远离背板的一侧形成第二电极。该发光二极管模组的制造方法可以有效解决绑定工艺过程中的对位精度和转移效率的问题,还便于形成小间距LED、迷你LED和微型LED以用于显示。
技术领域
本公开的实施例涉及一种发光二极管模组及其制造方法、显示装置。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)显示技术是基于LED形成像素单元的显示技术。在LED显示技术中,有机发光二极管(OLED)在手机、平板电脑、数码相机等显示领域的应用越来越广泛,此外,小间距LED、迷你发光二极管(Mini LED)和微型发光二极管(Micro LED)、量子点发光二极管(QLED)等在显示领域同样具有良好的市场前景,因而也越来越受到产业界的重视。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种发光二极管模组的制造方法,包括:提供背板,所述背板包括多个第一电极;提供外延片,所述外延片包括衬底和形成在所述衬底上的发光二极管外延结构;将所述外延片与所述背板结合,所述外延片的所述发光二极管外延结构面向所述背板的所述多个第一电极;剥离所述外延片的所述衬底,使所述发光二极管外延结构保留在所述背板上;对保留在所述背板上的所述发光二极管外延结构进行图案化处理,形成与所述多个第一电极分别连接的多个发光二极管芯片;以及在所述多个发光二极管芯片远离所述背板的一侧形成第二电极。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,剥离所述外延片的所述衬底,包括:通过光照剥离所述外延片的所述衬底。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述外延片还包括设置在所述衬底和所述发光二极管外延结构之间的缓冲层;使用光照剥离所述外延片的所述衬底包括:使用光照分离所述衬底和所述缓冲层。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,在对保留在所述背板上的所述发光二极管外延结构进行图案化处理之后,所述制造方法还包括:对图案化的所述发光二极管外延结构进行退火处理。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,在形成所述第二电极之前,所述制造方法还包括:向所述多个发光二极管芯片之间的间隙中填充固定材料。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述固定材料的颜色为黑色。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述第二电极的材料包括透明导电材料。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述第二电极为所述多个发光二极管芯片的公共电极。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,在将所述外延片与所述背板结合之前,所述制造方法还包括:将所述外延片切割成与所述背板相同的形状。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述背板还包括与所述多个第一电极连接的驱动电路,用于控制所述多个发光二极管芯片发光。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述发光二极管外延结构包括发光层,所述发光层包括量子点发光层或量子阱发光层。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述发光二极管芯片包括无机发光二极管芯片。
例如,在本公开一些实施例提供的制造方法中,所述无机发光二极管的发光颜色包括红色、绿色、蓝色中任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的