[发明专利]对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，制造方法包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。本发明能够减小对准图形中空旷区域的面积，避免由于刻蚀残留物导致的缺陷问题，从而改善对准质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法。

背景技术

对准是半导体制造工艺中最为关键的影响因素之一，例如，在光刻技术中需要关注曝光机与掩膜版之间的对准，在芯片划片工艺中需要关注实际划片区域与划片槽之间的对准。

以光刻技术中的对准为例，光刻技术中常用的对准方式主要有如下几类：基于明暗场对准，光栅衍射对准和视频图像对准。为了实现对准，需要在基底、芯片或者掩膜版上设置相应的对准图形(Alignment mask)，利用该对准图形来进行对准。

采用现有的对准图形进行对准时存在对准精度低的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，解决对准质量差的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种对准图形，包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，每一子图形区内具有至少一个标准图形，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。

另外，所述子图形区沿第二方向延伸，且所述第二方向与所述方向相垂直。

另外，在沿所述第一方向上，所述遮挡图形与邻近的所述子图形区之间的距离为第三距离，且所述第三距离为285nm～315nm。

另外，还包括：遮光图形，所述遮光图形位于相邻所述子图形区之间，且所述遮光图形与相邻所述子图形区之间具有间隙。

另外，所述子图形区的形状为条状；所述遮挡图形为条状；所述遮光图形为条状。

本发明还提供一种具有对准图形的半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底包括若干第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域，所述基底上形成有多个分立的第一功能层以及位于所述第一功能层顶部表面的牺牲层，所述第一区域具有至少两个所述第一功能层，所述第二区域的所述第一功能层横跨所述第二区域，且在沿所述第一区域指向所述第二区域方向上，所述第一区域的相邻第一功能层之间的距离小于所述第二区域的第一功能层的宽度；

在所述基底上形成第二功能层，所述第二功能层还覆盖所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁，且在沿垂直于所述基底表面方向上，所述第二功能层的厚度与所述第一功能层的厚度不同；在所述第二功能层表面形成掩膜层，且所述掩膜层填充相邻所述牺牲层之间的区域；在形成所述掩膜层之后，去除位于所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的所述第二功能层；采用湿法工艺或者灰化工艺去除所述牺牲层，暴露出所述第一功能层顶部表面；去除所述掩膜层，暴露出剩余所述第二功能层顶部表面，所述第一功能层以及剩余所述第二功能层构成对准图形。

另外，在形成所述掩模层之前，所述第二功能层还覆盖所述牺牲层顶部；所述在去除位于所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的所述第二功能层的工艺步骤中，还去除位于所述牺牲层顶部的所述第二功能层。

另外，所述掩膜层的材料与所述第一功能层的材料不同；所述掩膜层的材料与所述第二功能层的材料不同。