[发明专利]厚铝刻蚀方法

权利要求书

1.一种厚铝刻蚀方法，其特征在于，包括：

在晶片上形成金属互连结构，所述金属互连结构包括依次设置于所述晶片上的第一缓冲层、厚铝层、第二缓冲层，所述第二缓冲层上形成有光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，并根据所述光刻胶层的图形刻蚀所述第二缓冲层；

刻蚀第一比例厚度的所述厚铝层，刻蚀气体为氮气、氯气和三氯化硼；

保持所述刻蚀第一比例厚度的所述厚铝层步骤的腔体压力不变，降低所述氮气和所述三氯化硼的流量，并刻蚀剩余的第二比例厚度的所述厚铝层以及所述第一缓冲层，所述第二比例厚度小于所述第一比例厚度。

2.根据权利要求1所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，还包括在所述第二缓冲层上形成抗反射层的步骤，所述光刻胶层形成于所述抗反射层上；

所述图形化所述光刻胶层，并根据所述光刻胶层的图形刻蚀所述第二缓冲层包括：

图形化所述光刻胶层，并根据所述光刻胶层的图形依次刻蚀所述抗反射层和所述第二缓冲层。

3.根据权利要求2所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述抗反射层的刻蚀气体为氯气和三氟甲烷，所述氯气和所述三氟甲烷的流量比例为6:1～6.5:1；

刻蚀所述第二缓冲层的刻蚀气体为氯气和三氯化硼，所述氯气和所述三氯化硼的流量比例为0.9:1～1:1。

4.根据权利要求1所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，刻蚀第一比例厚度的所述厚铝层时，反应腔室的腔体压力为12mTorr～20mTorr，所述氮气流量为12sccm，所述氯气和所述三氯化硼的流量比例为1:1。

5.根据权利要求4所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，所述氯气和所述三氯化硼的流量均为85sccm～90sccm。

6.根据权利要求5所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，所述降低所述氮气和所述三氯化硼的流量，刻蚀剩余的第二比例厚度的所述厚铝层以及所述第一缓冲层包括：

所述降低所述氮气和所述三氯化硼的流量，直至所述氮气的气体流量为7sccm～9sccm，所述三氯化硼的气体流量为70sccm～90sccm，并刻蚀剩余的第二比例厚度的所述厚铝层以及所述第一缓冲层。

7.根据权利要求6所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，所述第一比例厚度为90％～95％的所述厚铝层，所述第二比例厚度为5％～10％的所述厚铝层。

8.根据权利要求7所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，所述晶片还包括绝缘层；

所述降低所述氮气和所述三氯化硼的流量，刻蚀剩余的第二比例厚度的所述厚铝层以及所述第一缓冲层之后还包括：

调换所述氯气和所述三氯化硼的流量比例，所述氯气和所述三氯化硼的流量比例为1:1.2，并降低所述氮气的流量，刻蚀所述绝缘层。

9.根据权利要求1所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层包括金属钛层和/或氮化钛层；当所述第一缓冲层包括所述金属钛层和所述氮化钛层时，所述金属钛层设置于所述氮化钛层上，所述金属钛层上设置所述厚铝层；

当所述第二缓冲层包括所述金属钛层和所述氮化钛层时，所述金属钛层设置于所述厚铝层上，所述氮化钛层设置于所述金属钛层上。

10.根据权利要求1所述的厚铝刻蚀方法，其特征在于，所述厚铝层的厚度大于等于0.46um～3um。