[发明专利]一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910420676.9 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110244476A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘竞博;凌东雄;莫晨 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 523808 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅微纳米结构 二维薄膜材料 太赫兹调制器 泵浦光 硅基 制备 光电转化效率 泵浦光功率 硅基底表面 调制器件 太赫兹波 陷光 震荡 反馈 调控 激发 | ||
1.一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，包括硅基底，硅微纳米结构和二维薄膜材料；所述硅微纳米结构位于所述硅基底表面；所述二维薄膜材料设置于所述硅微纳米结构上。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述硅基底为N型硅或P型硅，电阻率为500-10000Ω·cm。
3.根据权利要求2所述的一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述硅微纳米结构与所述硅基底为同一种掺杂硅。
4.根据权利要求1所述的一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述硅微纳米结构为硅纳米线、硅微纳米金字塔中的一种或二者的复合结构；所述硅纳米线长度为1-15μm；所述硅微纳米金字塔高度为1-15μm。
5.根据权利要求1所述的一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述二维薄膜材料为石墨烯、MoS2、WS2、WSe2、ReSe2或HfSe2。
6.根据权利要求1所述的一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述二维薄膜材料层数为1-5层。
7.根据权利要求1所述的一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述二维薄膜材料的掺杂形态与所述硅微纳米结构不同，所述二维薄膜材料与所述硅微纳米结构之间形成PN异质结结构。
8.根据权利要求1所述的一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)去除硅基底表面氧化层，对硅基底表面进行清洗；
(2)在硅基底表面制作硅微纳米结构；
(3)将一层或多层二维薄膜材料转移到硅微纳米结构上。
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