[发明专利]一种开关电容积分器有效
申请号: | 201910421151.7 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN110098810B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 马松;刘力源;窦润江;刘剑;吴南健 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F1/02;H03F1/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关 电容 积分器 | ||
1.一种开关电容积分器,包括:
动态放大器,用于放大输入信号,包括运算放大模块,两加速模块以及尾电流偏置模块,其中,运算放大模块,用于提供预定的放大增益;两加速模块,用于增加所述放大模块的工作电流以增大所述运算放大模块的放大速度;尾部电流偏置模块,用于为所述运算放大模块提供偏置电流,以确定所述运算放大模块的直流工作点;
两开关电容,分别设于所述运算放大模块的正向输入端与反向输入端,用于向所述运算放大模块输入所述输入信号;
两积分电容,分别跨接于所述运算放大模块的正向输入端和反向输出端以及反向输入端和正向输出端,用于实现所述输入信号的积分;
所述两加速模块中每一加速模块均包括第一MOS场效应管、第二MOS场效应管以及一MOS开关Φen,所述第一MOS场效应管和第二MOS场效应管的栅极相连,并与所述第一MOS场效应管的漏极相连后通过电流源与地连接,所述第一MOS场效应管和第二MOS场效应管的源极与参考电压VDD连接,所述第二MOS场效应管的漏极通过所述MOS开关Φen与MC1或MC2的源极连接;
所述运算放大模块包括四个MOS场效应管,分别为M1、M2、MC1以及MC2,以及两MOS开关Φrst,其中,M1与M2相邻,M1与M2的栅极分别为所述反向输入端和正向输入端,所述M1与M2的源极相连后连接到所述尾部电流偏置模块,所述M1与M2的漏极分别与所述MC1与MC2的源极连接,所述MC1与MC2的漏极分别为所述正向输出端和反向输出端,并分别通过一MOS开关Φrst与参考电压VDD连接,所述MC1与MC2的栅极相连。
2.根据权利要求1所述的开关电容积分器,所述运算放大模块还包括两偏置电容,分别为电容Cb1与电容Cb2,所述电容Cb1与电容Cb2串联,且所述电容Cb1的一端与所述正向输出端连接,所述电容Cb1的另一端与所述MC1或MC2的栅极连接;所述电容Cb2的一端与所述反向输出端连接,所述电容Cb2的另一端与所述MC1或MC2的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的开关电容积分器,所述尾电流偏置模块包括一MOS开关Φen,MOS场效应管MT1和MT2以及一电阻RB1,所述MT1和MT2的栅极连接后与所述电阻RB1的一端连接,所述MT1和MT2的源极与地连接,所述MT1的漏极与所述电阻RB1的一端连接,所述电阻RB1的另一端与一预设电压连接,所述MT2的漏极通过所述MOS开关Φen与所述M1与M2的源极连接。
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