[发明专利]可调式元素因子的阵列天线模组有效
申请号: | 201910423658.6 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110212299B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 施佑霖;张家豪;颜红方;李荣耀;曾国祯 | 申请(专利权)人: | 常熟市泓博通讯技术股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/48 | 分类号: | H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/28;H01Q5/307;H01Q5/50;H01Q23/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 调式 元素 因子 阵列 天线 模组 | ||
1.一种可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,包括:
馈入单元,具有馈入端、第一馈入分支与第二馈入分支;
第一元素因子单元,包括第一双频天线与第一低频反射部,其中所述第一双频天线连接所述第一馈入分支,其中所述第一低频反射部具有第一二极管与第一接地分支,所述第一低频反射部通过所述第一二极管与所述第一接地分支连接所述接地;
第二元素因子单元,包括第二双频天线与第二低频反射部,其中所述第二双频天线连接所述第二馈入分支,其中所述第二低频反射部具有第二二极管与第二接地分支,所述第二低频反射部通过所述第二二极管与所述第二接地分支连接所述接地,其中所述第一双频天线位于所述第二双频天线与所述第一低频反射部之间,所述第二双频天线位于所述第一双频天线与所述第二低频反射部之间;以及
高频共用反射部,位于所述第一元素因子单元的所述第一双频天线与所述第二元素因子单元的所述第二双频天线之间,具有第三二极管与一第三接地分支,所述高频共用反射部通过所述第三二极管与所述第三接地分支连接所述接地;
当所述第一二极管导通时,所述第一低频反射部通过所述第一二极管导通至所述接地以与所述接地构成半波长反射器,当所述第一二极管不导通时,所述第一接地分支延长所述第一低频反射部的接地路径;其中当所述第二二极管导通时,所述第二低频反射部通过所述第二二极管导通至所述接地以与所述接地构成半波长反射器,当所述第二二极管不导通时,所述第二接地分支延长所述第二低频反射部的接地路径。
2.根据权利要求1所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,当所述第三二极管导通时,所述高频共用反射部通过所述第三二极管导通至所述接地以与所述接地构成半波长反射器;当所述第三二极管不导通时,减少反射效果。
3.根据权利要求1所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,所述第一双频天线与所述第二双频天线皆用以产生第一频带与第二频带的共振模态,所述第一频带是2.4GHz频带,所述第二频带是5GHz频带。
4.根据权利要求1所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,所述可调式元素因子的阵列天线模组设置于双面微波基板,所述馈入单元、所述第一双频天线与所述第二双频天线位于所述双面微波基板的第一表面,所述第一低频反射部、所述第二低频反射部与所述高频共用反射部位于所述双面微波基板的所述第二表面,其中所述接地位于所述双面微波基板的所述第二表面,所述馈入单元的所述馈入端用以馈入射频信号。
5.根据权利要求4所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,所述第一双频天线更具有第一接地端,所述第二双频天线更具有第二接地端,所述第一接地端与所述第二接地端皆用以通过贯孔方式连接位于所述双面微波基板的所述第二表面的所述接地。
6.根据权利要求4所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,所述第一二极管、所述第二二极管与所述第三二极管为装设于所述双面微波基板的所述第二表面的表面黏贴元件。
7.根据权利要求1所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,所述第一馈入分支与所述第二馈入分支彼此并联,所述第一馈入分支用以构成100欧姆传输线,所述第二馈入分支用以构成100欧姆传输线。
8.根据权利要求1所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,所述高频共用反射部具有对称轴,所述第一元素因子单元与所述第二元素因子单元依据所述对称轴而彼此对称。
9.根据权利要求1所述的可调式元素因子的阵列天线模组,其特征在于,所述可调式元素因子的阵列天线模组用于电子装置,所述电子装置包括无线芯片、应用单元与控制单元,所述馈入单元的所述馈入端连接所述无线芯片;所述应用单元连接所述无线芯片,由所述无线芯片接收可调式元素因子的阵列天线模组的接收信号强度指示或接收资料率;所述控制单元连接所述应用单元、所述第一二极管、所述第二二极管与所述第三二极管,所述控制单元受控于所述应用单元用以控制所述第一二极管、所述第二二极管与所述第三二极管的导通状态,以控制所述可调式元素因子的阵列天线模组的辐射场型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常熟市泓博通讯技术股份有限公司,未经常熟市泓博通讯技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910423658.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型天线-天线罩一体化结构及设计方法
- 下一篇:一种天线单元及终端设备