[发明专利]清洗基材表面的方法在审
| 申请号： | 201910423762.5 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111986982A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 郭肯华;丁鸿泰;连伟佐 | 申请（专利权）人： | 睿明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 黄超;周春发 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 基材 表面 方法 | ||
1.一种清洗基材表面的方法，其特征在于，至少具有下列步骤：
一移除步骤，提供一外力以及一奈米水于一基材表面，将位于该基板表面的复数残留粒子移除；以及
一干燥步骤，去除残留于该基材表面的该奈米水。
2.如权利要求1所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该移除步骤之前包含一清洗步骤，该清洗步骤提供一奈米水，让该奈米水接触一基材的表面，使该奈米水包覆位于该基材表面的复数残留粒子。
3.如权利要求2所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该清洗步骤包括一喷淋处理。
4.如权利要求2所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该清洗步骤包括一浸泡处理。
5.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该基材为半导体晶圆、玻璃基板或光学镜片。
6.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该奈米水内的水分子大小介于1.5nm~10nm之间。
7.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该移除步骤中使用毛刷或研磨布作为外力进行清洗移除。
8.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该移除步骤与该干燥步骤之间包括一清洁步骤，提供一去离子水清洁该基材。
9.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该复数残留粒子为蜡、胶或有机化合物。
10.如权利要求1至4任一所述的清洗基材表面的方法，其特征在于，该干燥步骤以氮气将该基材表面吹干。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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