[发明专利]一种功率芯片的自动共晶焊接方法及拾取吸头在审
申请号: | 201910424009.8 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN111987010A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 任卫朋;刘凯;罗燕;陈靖;刘米丰;吴伟伟;王立春 | 申请(专利权)人: | 上海航天电子通讯设备研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201109 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 芯片 自动 焊接 方法 拾取 吸头 | ||
1.一种功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,包括:
对载体、焊料片和功率芯片进行预处理;
对所述载体进行预热;
在所述载体上放置所述焊料片;
使用自动拾取吸头拾取所述功率芯片,所述自动拾取吸头将所述功率芯片放置在所述焊料片上进行热压并进行刮擦;
自动拾取吸头取回共晶完成后的功率芯片。
2.如权利要求1所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,所述使用自动拾取吸头拾取所述功率芯片进一步包括:
对所述功率芯片进行定位;
所述自动拾取吸头拾取定位后的所述功率芯片;
其中,所述自动拾取吸头被构造为包括斜边卡槽及吸管,所述斜边卡槽包括底槽、斜向卡板,所述斜向卡板布设在所述底槽相对的侧边,且朝向所述底槽的外侧倾斜,所述底槽开设有通孔,所述吸管的一端固连于所述通孔。
3.如权利要求2所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,使用所述斜向卡板的倾斜角度被构造为40至50度的自动拾取吸头拾取所述功率芯片。
4.如权利要求2或3所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,使用卡位深度为所述功率芯片厚度的三分之一至三分之二的自动拾取吸头拾取所述功率芯片。
5.如权利要求2所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,所述对所述功率芯片进行定位进一步包括对所述功率芯片进行三色光识别定位。
6.如权利要求1所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,所述自动拾取吸头将所述功率芯片放置在所述焊料片上进行热压并进行刮擦进一步包括:
所述自动拾取吸头将所述功率芯片压合到所述焊料片上,其中压力参数为20至50g;
升温至焊料片熔融温度,以0.01至0.03mm的幅度进行上下振动,以0.1至0.2mm幅度进行水平方向刮擦,刮擦完成后持续热压2至5s以使焊料充分浸润。
7.如权利要求1所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,所述对载体进行预处理进一步包括:
将所述载体放入盛有无水乙醇的容器中进行超声清洗;
超声完成后将所述载体放入烘箱中烘焙;
将所述载体放入等离子清洗机中清洗。
8.如权利要求1所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,在所述载体上放置所述焊料片进一步包括放置厚度为15至25微米的焊片。
9.如权利要求1所述的功率芯片的自动共晶焊接方法,其特征在于,所述自动拾取吸头取回共晶完成后的功率芯片之后还包括采用X光检测所述功率芯片的焊接空洞。
10.一种功率芯片的自动共晶焊接的拾取吸头,其特征在于,包括:
斜边卡槽,包括底槽、斜向卡板,所述斜向卡板布设在所述底槽相对的侧边,且朝向所述底槽的外侧倾斜,所述底槽开设有通孔;及
吸管,所述吸管的一端固连于所述通孔。
11.如权利要求10所述的功率芯片的自动共晶焊接的拾取吸头,其特征在于,所述斜向卡板的倾斜角度被构造为40至50度。
12.如权利要求10或11所述的功率芯片的自动共晶焊接的拾取吸头,其特征在于,所述斜向卡板的卡位深度被构造为所述功率芯片厚度的三分之一至三分之二。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造