[发明专利]一种硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述光电探测器包括衬底层，在衬底层上设有彼此分隔的两块表面电极，在两块表面电极之间的衬底层上设有二维硫化钼薄膜层，在二维硫化钼薄膜层上还设有铯铅卤量子点层，通过配体交换对铯铅卤量子点层进行表面修饰，不但有效地去除了量子点所包裹的长链有机大分子，提高了载流子迁移率，还调节了量子点的表面形态，使二维硫化钼与铯铅卤量子点有效复合成为一种复合结构，共同作为主体，参与载流子的传输；

所述光电探测器的制备方法包括以下步骤：1）取衬底，作为衬底层，在衬底层上制作彼此分隔开的表面电极；2）取二维硫化钼薄膜，将其覆盖在表面电极之间的衬底层上，得二维硫化钼薄膜层；3）取铯铅卤量子点，将其均匀覆盖在二维硫化钼薄膜层的表面上，得铯铅卤量子点层；4）取配体，添加不饱和脂肪酸，得混合液，配体与不饱和脂肪酸的配比为0.05-0.25mol/L，配体为十六烷基三甲基卤化铵、十八烷基三甲基卤化铵、四正丁基卤化铵中的任意一种或几种；在混合液中添加配体溶剂，制成配体溶液，混合液与配体溶剂的体积比为1:50-150；5）取配体溶液，涂抹在铯铅卤量子点层的表面上，静置30-120s，重复2-3次，清洗，于60-80℃下，热处理3-5min，得光电探测器。

2.根据权利要求1所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述衬底层为带氧化硅的掺杂硅片、云母片、有机柔性衬底中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述表面电极为氧化铟锡电极、金电极、银电极、铝电极、铜电极中的任意一种或几种。

4.根据权利要求1所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述铯铅卤量子点层为CsPbCl₃量子点层、CsPbBr₃量子点层、CsPbI₃量子点层中的任意一种。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述步骤3）中，铯铅卤量子点在二维硫化钼薄膜层的表面上的覆盖方法是采用旋涂法，取铯铅卤量子点，添加甲苯或常温下呈液态的正烷烃，制成溶液，滴在二维硫化钼薄膜层的表面上，旋涂的转速为1500-2500r/min，旋涂时间为15-30s。

6.根据权利要求5所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述步骤5）中，配体溶液在铯铅卤量子点层的表面上的涂抹方法是旋涂法，旋涂的转速为1500-2500r/min，旋涂时间为15-30s。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述不饱和脂肪酸为油酸、棕榈酸中的任意一种或几种。

8.根据权利要求1-3中任意一项所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述配体溶剂为甲酸甲酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙腈中的任意一种或几种。

9.根据权利要求1-3中任意一项所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述步骤2）中，二维硫化钼薄膜的转移方法是：以树脂为载体，采用旋涂法，将树脂在硫化钼薄膜上旋涂一层，旋涂的转速为2500-3500r/min，于80-100℃下，烘烤5-10min；浸入强碱溶液中，加热20-30min；覆盖在步骤1）的衬底层上，于80-100℃下，烘干，清洗。

10.根据权利要求1-3中任意一项所述的二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器，其特征在于：

所述步骤1）中，表面电极的厚度为30-50nm。