[发明专利]正交误差补偿电路、MEMS传感器读出装置以及MEMS传感器系统在审
| 申请号： | 201910424448.9 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110146066A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 邹波;刘孟良 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01C19/5776 | 分类号： | G01C19/5776 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 杨飞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正交误差补偿 读出装置 电路 电荷提供单元 补偿电荷 正交误差 信号处理过程 工艺误差 检测电极 误差电荷 抵消 | ||
1.一种正交误差补偿电路，用于补偿MEMS传感器的正交误差，所述MEMS传感器包括两个检测电极，其特征在于，包括两个电荷提供单元；
每个所述电荷提供单元对应向一个所述检测电极提供补偿电荷，所述补偿电荷与所述正交误差引起的误差电荷相互抵消。
2.如权利要求1所述的正交误差补偿电路，其特征在于，所述电荷提供单元包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及第五电容；
所述第一电容的一端和所述第四电容的一端适于接收电源电压，所述第二电容的一端连接所述第五电容的一端，所述第三电容的一端和所述第五电容的另一端连接所述检测电极，所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端、所述第三电容的另一端以及所述第四电容的另一端适于接收补偿电压。
3.如权利要求2所述的正交误差补偿电路，其特征在于，所述补偿电荷的电荷量可调。
4.如权利要求3所述的正交误差补偿电路，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容以及所述第四电容为数字可编程电容。
5.如权利要求2所述的正交误差补偿电路，其特征在于，还包括提供所述补偿电压的电压源。
6.如权利要求2所述的正交误差补偿电路，其特征在于，所述补偿电压的大小根据所述误差电荷的电荷量确定。
7.一种MEMS传感器读出装置，其特征在于，包括差分放大电路以及权利要求1至6任一项所述的正交误差补偿电路；
所述正交误差补偿电路用于补偿所述MEMS传感器的正交误差；
所述差分放大电路用于对所述MEMS传感器的输出信号进行差分放大。
8.如权利要求7所述的MEMS传感器读出装置，其特征在于，所述差分放大电路包括第六电容、第七电容、第一电阻、第二电阻以及运算放大器；
所述运算放大器的同相输入端连接一个所述检测电极、一个所述电荷提供单元的输出端、所述第一电阻的一端以及所述第六电容的一端，所述运算放大器的反相输入端连接另一个所述检测电极、另一个所述电荷提供单元的输出端、所述第二电阻的一端以及所述第七电容的一端，所述运算放大器的反相输出端连接所述第一电阻的另一端以及所述第六电容的另一端，所述运算放大器的同相输出端连接所述第二电阻的另一端以及所述第七电容的另一端。
9.一种MEMS传感器系统，其特征在于，包括MEMS传感器以及权利要求7或8所述的MEMS传感器读出装置。
10.如权利要求9所述的MEMS传感器系统，其特征在于，所述MEMS传感器为MEMS陀螺仪。
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