[发明专利]图像传感器及其形成方法

说明书

一种图像传感器及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括相邻的第一像素区和第二像素区，所述第一像素区和第二像素区之间具有第一隔离区；位于所述第一像素区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层的材料为第一滤光层材料；位于所述第二像素区第二面表面的第二滤光层，所述第二滤光层的材料为第二滤光层材料；位于所述第一隔离区内的第一深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构的顶部位于所述衬底第二面的表面，所述第一深沟槽隔离结构的材料包括第三滤光层材料，第三滤光层材料与第一滤光层材料不同，且第三滤光层材料与第二滤光层材料不同。所述图像传感器的性能得到改善。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。

背景技术

图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。图像传感器分为互补金属氧化物(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(Charge-coupled Device，简称CCD)图像传感器。互补金属氧化物图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，互补金属氧化物图像传感器越来越多地取代电荷耦合器件图像传感器应用于各类电子产品中。目前，互补金属氧化物图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。

互补金属氧化物图像传感器包括前照式图像传感器和背照式图像传感器。在背照式图像传感器中，光从图像传感器的背面入射到图像传感器中的感光二极管上，从而将光能转化为电能。

然而，现有的图像传感器的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以提高图像传感器的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括相邻的第一像素区和第二像素区，所述第一像素区和第二像素区之间具有第一隔离区；位于所述第一像素区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层的材料为第一滤光层材料；位于所述第二像素区第二面表面的第二滤光层，所述第二滤光层的材料为第二滤光层材料；位于所述第一隔离区内的第一深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构的顶部位于所述衬底第二面的表面，所述第一深沟槽隔离结构的材料包括第三滤光层材料，第三滤光层材料与第一滤光层材料不同，且第三滤光层材料与第二滤光层材料不同。

可选的，所述衬底还包括第三像素区，所述第三像素区第二面表面具有第三滤光层，所述第三滤光层的材料为第三滤光层材料。

可选的，所述第三像素区与第一像素区相邻；所述图像传感器还包括：位于所述第三像素区与第一像素区之间的第二隔离区，所述第二隔离区内具有第二深沟槽隔离结构，所述第二深沟槽隔离结构的顶部位于所述衬底第二面的表面，所述第二深沟槽隔离结构的材料包括第二滤光层材料。

可选的，所述第三像素区与第二像素区相邻；所述图像传感器还包括：位于第三像素区与第二像素区之间的第三隔离区，所述第三隔离区内第三深沟槽隔离结构，所述第三深沟槽隔离结构的顶部位于所述衬底第二面的表面，所述第三深沟槽隔离结构的材料包括第一滤光层材料。

可选的，所述第一滤光层材料透过蓝光波段的光线；且所述第二滤光层材料透过绿光波段的光线；且所述第三滤光层材料透过红光波段的光线。

可选的，所述第一滤光层材料透过红光波段的光线；且所述第二滤光层材料透过绿光波段的光线；且所述第三滤光层材料透过蓝光波段的光线。