[发明专利]一种SiC材料及其制造方法

权利要求书

1.一种SiC材料，其特征在于，按质量分数计，包括以下原料：

碳化硅粉末20～30％、废弃莫来石匣钵粗粉10～20％、废弃莫来石匣钵细粉10～20％、纳米氧化铝粉末10～20％、有机硅阻燃剂1～15％、低密度聚乙烯1～10％、聚氨酯1～10％、异丙醇1～10％、去离子水1～10％。

2.根据权利要求1所述的一种SiC材料，其特征在于，所述有机硅阻燃剂选自硅油、聚硅氧烷、丙烯酸酯-硅氧烷材料中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种SiC材料，其特征在于，所述碳化硅粉末的粒径为0.1～10μm，所述废弃莫来石匣钵粗粉的粒径为10～50mm，所述废弃莫来石匣钵细粉的粒径为0.01～0.1mm，所述纳米氧化铝粉末的粒径为1～50nm。

4.一种根据权利要求1～3任意一项所述的SiC材料的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将废弃莫来石匣钵进行机械破除粉碎，并筛分出粒径为10～50mm的废弃莫来石匣钵粗粉和粒径为0.01～0.1mm的废弃莫来石匣钵细粉；

步骤二、按配方称取原料，对所述碳化硅粉末进行球磨，并将球磨后的碳化硅粉末与废弃莫来石匣钵粗粉、废弃莫来石匣钵细粉及纳米氧化铝粉末混合均匀，得到混合干料；

步骤三、将所述混合干料与有机硅阻燃剂、低密度聚乙烯、聚氨酯、异丙醇及去离子水混合均匀，得到混合湿料；

步骤四、将所述混合湿料进行真空挤压成型，得到成型坯；

步骤五、将所述成型坯置于高温窑炉中进行烧成，烧成后冷却至室温即得到成品。

5.根据权利要求4所述的一种SiC材料的制造方法，其特征在于，所述步骤五中，首先将高温窑炉的温度以10℃/min的升温速度升温至200℃，并在200℃的温度下保温0.5h；

然后以20℃/min的升温速度升温至1300～1500℃，并在1300～1500℃的温度下保温2～3h。

6.根据权利要求4所述的一种SiC材料的制造方法，其特征在于，所述步骤二中，球磨时间为1～2h。