[发明专利]一种碳化硅表面处理方法

权利要求书

1.一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；

步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；

步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行提纯；

步骤四、用有机硅和有机氟作表面活性剂，乙醇、水作溶剂，将有机硅、有机氟、乙醇、水按体积比3:1:4:1的比例加入表面处理反应釜中，再将步骤三得到的碳化硅粉末与上述溶剂按1:2的体积比加入表面处理反应釜中，在温度45-58℃、转速500-800r/min条件下充分搅拌3-5h进行反应；

步骤五、将所述步骤四表面处理反应得到的碳化硅粉末分别进行分散浆化、物理分散、沉淀分离、烘干，即得表面处理后的碳化硅微粉。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，所述步骤三中，酸洗过程为：

酸洗介质为浓硫酸与氢氟酸的混合酸，酸洗温度为50～60℃，酸洗时间为2～3h，浓硫酸与氢氟酸的体积比为2:1；

使用去离子水对酸洗后的碳化硅粉末进行超声清洗，清洗次数为4～5次，每次的清洗时间为1～5min。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，所述步骤三中，碱洗过程为：

碱洗介质为浓度为1～10mol/L的氢氧化钠，碱洗温度为60～70℃，碱洗时间为2～3h；

使用去离子水对碱洗后的碳化硅粉末进行超声清洗，清洗次数为4～5次，每次的清洗时间为1～5min。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，所述步骤四中，所述有机硅为硅烷偶联剂Z-6040，所述有机氟为氟羧酸BYK-P104S。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，所述步骤五中将步骤四得到的碳化硅粉末与去离子水在室温下混合，碳化硅粉末与去离子水的重量比为1：1.5，然后加入化学分散剂充分搅拌，使碳化硅粉末在去离子水中充分分散和浆化，从而得到碳化硅浆液，然后对碳化硅浆液进行物理分散；

其中，化学分散剂与提纯后的碳化硅粉末的重量比为1：10，所述化学分散剂为聚羧酸型表面活性剂和β-磺酸钠甲醛缩合物的混合物，重量比为1：1。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，所述步骤二中，煅烧温度为720℃。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，所述步骤三中，酸洗和碱洗过程均搅拌。