[发明专利]量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置

说明书

本发明公开了一种量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置，本发明提供的量子点的最外侧壳层为空穴传输材料，这样可以将该结构的量子点应用于QLED器件的制备中，一方面可以将该量子点的最外层空穴传输材料作为QLED器件中的空穴传输层，减少单独制作一层空穴传输层的工艺，有效简化器件结构与工艺制程；另一方面该量子点的最外层空穴传输材料与QLED器件中的电子传输层相接触，作为电子阻挡层，能够阻挡部分电子传输，解决现有技术中由于电子传输更为高效使电子在QLED器件中成为多子的问题，从而有效促进电子‑空穴注入平衡，提高QLED器件的效率与寿命。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置。

背景技术

量子点(Quantum dots，QDs)，又名半导体纳米晶、半导体纳米颗粒，是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料，是在纳米尺度上的原子和分子的集合体。基于量子点材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)，是一种新型的发光器件。

在QLED器件中，各个功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层。选择合适的器件结构和各功能层的传输特性相匹配对QLED器件的性能至关重要。目前电子传输层材料ZnO的引入，使电子传输更为高效，从而使电子在QLED器件中成为多子，但由于量子点较深的价带，空穴传输材料通常不能保证足够的空穴注入，这就导致电子空穴的注入不平衡，使得QLED器件效率和寿命均受到影响，因此QLED器件还需要设置电子阻挡层。

然而，上述较多的功能层的制备增加了制程工艺的复杂程度和制备过程中的不可控程度。

发明内容

本发明实施例提供一种量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置，用以简化现有QLED器件的膜层结构以及提高器件的效率与寿命。

因此，本发明实施例提供了一种量子点，包括内核结构和包围所述内核结构的壳层结构，所述壳层结构中最外侧壳层的材料为空穴传输材料。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点中，所述壳层结构包括最外侧壳层，以及位于所述最外侧壳层和所述内核结构之间的内侧壳层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点中，所述内核结构的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅳ-Ⅵ族化合物或Ⅰ-Ⅳ-Ⅶ族化合物。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点中，所述空穴传输层的材料为无机材料。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点中，所述空穴传输材料包括NiO_x、WO_x、MoO_x、VO_x、CrO_x其中之一或组合。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点中，所述最外侧壳层的厚度为1nm-100nm。

相应地，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中所述量子点发光层包括本发明实施例提供的上述任一项所述的量子点。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述空穴注入层和所述量子点发光层直接接触。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述空穴注入层的材料包括PEDOT：PSS、CuPc、过渡金属氧化物、金属硫系化合物其中之一或组合。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述电子传输层的材料为金属氧化物、金属复合氧化物或金属配位化合物。