[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一通道层，设置于一基板之上；

一阻挡层，设置于该通道层之上；

一化合物半导体层，设置于该阻挡层之上；

一栅极电极，设置于该化合物半导体层之上；

一源极电极以及一漏极电极，设置于该栅极电极两侧，其中该源极电极以及该漏极电极穿过至少一部分该阻挡层；

一源极场板，通过一源极接触件与该源极电极连接，其中该源极场板具有一边缘；以及

一第一电场重布图案，设置于该阻挡层上且位于该边缘正下方。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一电场重布图案包括至少一化合物半导体凸块，设置于该阻挡层之上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该至少一化合物半导体凸块的厚度小于该化合物半导体层的厚度。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该至少一化合物半导体凸块与该化合物半导体层包括相同的材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一电场重布图案为至少一凹槽，该至少一凹槽自该阻挡层的上表面向该阻挡层的下表面延伸。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该至少一凹槽穿过该阻挡层且延伸至该通道层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一额外的源极场板，该额外的源极场板通过该源极接触件与该源极电极连接，其中该额外的源极场板的边缘比该源极场板的边缘更靠近该漏极电极，且该第一电场重布图案更设置于该额外的源极场板的边缘的正下方。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视示意图中，该第一电场重布图案为不连续的。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视示意图中，该第一电场重布图案为条状。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一第二电场重布图案，该第二电场重布图案为至少一凹槽，该至少一凹槽自该阻挡层的上表面向该阻挡层的下表面延伸，其中该第二电场重布图案位于该栅极电极及该漏极电极之间且邻近该化合物半导体层的边缘。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一保护层，沿着该栅极电极、该化合物半导体层、及该第一电场重布图案顺应性地设置。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板之上形成一通道层；

在该通道层之上形成一阻挡层；

在该阻挡层之上形成一化合物半导体层；

在该化合物半导体层之上形成一栅极电极；

在该阻挡层之上形成一第一电场重布图案；

在该栅极电极两侧形成一源极电极以及一漏极电极，其中该源极电极以及该漏极电极穿过至少一部分该阻挡层；

形成一源极场板，该源极场板通过一源极接触件与该源极电极连接，其中该源极场板在靠近该漏极电极处具有一边缘，且其中该第一电场重布图案位于该边缘正下方。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该第一电场重布图案的步骤包括形成在该阻挡层上形成至少一化合物半导体凸块。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该至少一化合物半导体凸块的厚度小于该化合物半导体层的厚度。

15.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该至少一化合物半导体凸块与该化合物半导体层由相同的材料所形成。