[发明专利]半导体器件清洗装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件清洗装置。所述半导体器件清洗装置，包括：清洗槽，具有用于承载半导体器件的支撑台；第一管道，用于向所述清洗槽内传输清洗液；第二管道，与所述第一管道连通，用于向所述第一管道传输第一气体，溶解于所述清洗液中的所述第一气体能够产生活性粒子，所述活性粒子用于与所述半导体器件中的颗粒物作用，以去除所述颗粒物。本发明实现了对所述半导体器件中颗粒物的有效清除，减少了颗粒物的残留，提高了所述清洗液的清洗能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件清洗装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

对3D NAND等的半导体器件表面进行清洗，是确保最终半导体器件质量的重要步骤。但是，现有的半导体器件清洗装置清洗效果较差，严重影响了半导体器件的良率。

因此，如何改善半导体器件清洗装置的清洗效果，提高半导体器件的良率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种半导体器件清洗装置，用于解决现有的半导体器件清洗装置清洗效果较差的问题，以改善半导体器件的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体器件清洗装置，包括：

清洗槽，具有用于承载半导体器件的支撑台；

第一管道，用于向所述清洗槽内传输清洗液；

第二管道，与所述第一管道连通，用于向所述第一管道传输第一气体，溶解于所述清洗液中的所述第一气体能够产生活性粒子，所述活性粒子用于与残留于所述半导体器件中的颗粒物作用，以去除所述颗粒物。

优选的，还包括：

第三管道，与所述第一管道连通，用于传输第二气体至所述第一管道，以使具有所述活性粒子的所述清洗液分散后喷射至所述半导体器件表面。

优选的，所述清洗液为去离子水，所述第一气体为氢气，所述活性粒子为氢自由基。

优选的，还包括：

位于所述清洗槽外部的氢气发生器，所述第二管道的一端用于与所述氢气发生器连通、另一端与所述第一管道连通。

优选的，所述第二气体为氮气。

优选的，还包括：

第一控制阀，安装于所述第三管道中，用于调整传输至所述第一管道的所述第二气体的压力。

优选的，还包括：

第二控制阀，安装于所述第二管道中，用于调整调整传输至所述第一管道的所述第一气体的流速。

优选的，还包括：

第四管道，用于向所述清洗槽传输处理液，以去除所述半导体器件表面的静电荷。

优选的，所述处理液为溶解有二氧化碳的去离子水溶液。

优选的，所述第一管道与所述第四管道分布于所述支撑台轴向方向的相对两侧。