[发明专利]晶圆键合结构以及晶圆键合结构的制作方法

权利要求书

1.一种晶圆键合结构的形成方法，包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成第一介质层；

在所述第一介质层中形成第一通孔，所述第一通孔未贯穿所述第一介质层；

在所述第一介质层上形成第二掩膜，所述第二掩膜具有第二开口，其中，所述第二开口暴露出所述第一通孔并用于定义第一沟槽，以及所述第二开口中具有分隔图案，所述分隔图案将所述第二开口分隔成至少两个局部连通的子开口；

刻蚀所述第一介质层形成所述第一沟槽，以及继续刻蚀所述第一通孔至暴露出所述第一晶圆；

去除所述第二掩膜；

在所述第一沟槽和第一通孔内形成金属互连结构。

2.如权利要求1所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层中形成第一通孔的方法包括：

在所述第一介质层上形成第一掩膜，所述第一掩膜具有第一开口，所述第一开口用于定义第一通孔；

刻蚀所述第一介质层形成第一通孔；

去除所述第一掩膜。

3.如权利要求1所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，在所述第一沟槽和第一通孔内形成金属互连结构的方法包括：

在所述第一介质层上以及第一沟槽和第一通孔内填充金属互连材料；

去除所述第一介质层上的金属互连材料，在所述第一沟槽和第一通孔内形成金属互连结构。

4.如权利要求1所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，所述子开口的横截面面积小于1.5μm×1.5μm。

5.如权利要求1所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，所述子开口的横截面为正方形或者圆形或者长方形。

6.如权利要求1所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，所述子开口的数量为4个，并且所述4个子开口的形状以及尺寸相同。

7.一种晶圆键合结构，包括：

第一晶圆；

第一介质层，位于所述第一晶圆上；

金属互连结构，位于所述第一介质层中，且所述金属互连结构被分隔成至少两个局部连通的子金属互连结构。

8.如权利要求7所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述子金属互连结构的横截面面积小于1.5μm×1.5μm。

9.如权利要求7所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述子金属互连结构的横截面为正方形或者圆形或者长方形。

10.如权利要求7所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述子金属互连结构的数量为4个，并且所述4个子金属互连结构的形状以及尺寸相同。