[发明专利]晶体管栅极形状构造方法在审
| 申请号： | 201910428286.6 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634945A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | M.拉多萨夫耶维奇;邓汉威;S.达斯古普塔;P.费舍尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕传奇;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 衬底 单片 | ||
1.一种晶体管，包括：
在衬底上方的栅极的第一部分，所述第一部分具有第一宽度；以及
在所述栅极的所述第一部分上方的所述栅极的第二部分，所述第二部分相对于所述栅极的所述第一部分居中并且所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中所述栅极的所述第一部分和所述栅极的所述第二部分形成单个单片T栅极结构。
2.根据权利要求1所述的晶体管，还包括氮化镓外延层。
3.根据权利要求1所述的晶体管，还包括极化层。
4.根据权利要求1、2或3所述的晶体管，其中所述T栅极结构被高k材料围绕。
5.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述栅极的所述第一部分在所述氮化镓外延层上方。
6.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述栅极的所述第一部分延伸到所述极化层的顶表面。
7.根据权利要求4所述的晶体管，其中绝缘体围绕所述T栅极结构和所述高k材料的顶部和侧面。
8.一种晶体管，包括：
在衬底上方的栅极的第一部分，所述第一部分具有第一宽度；
在所述栅极的所述第一部分上方的所述栅极的第二部分，所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度；以及
在所述栅极的所述第二部分上方的所述栅极的第三部分，所述第三部分具有小于所述第二宽度且与所述第一宽度相同的第三宽度。
9.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述栅极的所述第三部分相对于所述第二部分居中。
10.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述栅极的所述第二部分包括在隔离氮化物上方延伸的第一区域和第二区域。
11.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述栅极的所述第一部分被隔离氮化物包围。
12.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述栅极的所述第一部分形成在氮化镓外延层上方。
13.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述栅极的所述第一部分形成在极化层上方。
14.根据权利要求8、9、10、11、12或13所述的晶体管，其中所述栅极被栅极绝缘体材料围绕。
15.一种方法，包括：
形成在衬底上方的栅极的第一部分，所述第一部分具有第一宽度；以及
形成在所述栅极的所述第一部分上方的所述栅极的第二部分，所述第二部分相对于所述栅极的所述第一部分居中并且所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中所述栅极的所述第一部分和所述栅极的所述第二部分形成单个单片T栅极结构。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述衬底上方的氮化镓外延层。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括在所述氮化镓外延层上方的极化层。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述T栅极结构被高k材料围绕。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述栅极的所述第一部分在所述氮化镓外延层上方。
20.根据权利要求17、18或19所述的方法，其中所述栅极的所述第一部分延伸到所述极化层的顶表面。
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