[发明专利]扩大用于横向电流传导的肖特基二极管横截面积的植入物

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

衬底；

在衬底上方的外延层；

在外延层上的肖特基势垒材料；

延伸到肖特基势垒材料中的肖特基金属接触；

在第一方向上延伸的鳍状物结构；

具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第一侧中的第一成角度的植入物；

具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第二侧中的第二成角度的植入物，第二侧与第一侧相对；以及

第一阴极区和第二阴极区，通过在第一方向上延伸的第一成角度的植入物和第二成角度的植入物的部分耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中肖特基金属接触通过硬掩模延伸到第一成角度的植入物和第二成角度的植入物上方的肖特基势垒材料中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第一成角度的植入物和第二成角度的植入物在鳍状物结构内合并。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第一阴极区和第二阴极区包括向下延伸到第一成角度的植入物和第二成角度的植入物中的外延材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第一成角度的植入物和第二成角度的植入物延伸到外延层中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中外延层包括氮化镓。

7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的半导体器件，其中衬底包括硅。

8.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的半导体器件，其中缓冲层在衬底的顶表面上。

9.一种半导体二极管，包括：

衬底；

衬底上方的肖特基金属接触；

肖特基金属接触下面的肖特基势垒材料；

第一阴极区和第二阴极区；

在第一阴极区和第二阴极区下方的外延层；以及

在第一阴极区和第二阴极区之间的外延层的顶表面中的植入物。

10.根据权利要求9所述的半导体二极管，其中肖特基金属接触形成在植入物上方。

11.根据权利要求9所述的半导体二极管，其中肖特基势垒材料在第一阴极区和第二阴极区之间延伸。

12.根据权利要求9所述的半导体二极管，其中肖特基金属接触具有T栅极结构。

13.根据权利要求9所述的半导体二极管，其中肖特基金属接触具有与第一侧相邻的第一间隔体和与第二侧相邻的第二间隔体。

14.根据权利要求9所述的半导体二极管，其中外延层包括氮化镓。

15.根据权利要求9所述的半导体二极管，其中衬底包括硅。

16.根据权利要求9、10、11、12、13、14或15所述的半导体二极管，其中，第一间隔体和第二间隔体包括氮化硅。

17.一种方法，包括：

形成衬底；

在衬底上方形成外延层；

在外延层上形成肖特基势垒材料；

形成延伸到肖特基势垒材料中的肖特基金属接触；

形成在第一方向上延伸的鳍状物结构；

形成具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第一侧中的第一成角度的植入物；

形成具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第二侧中的第二成角度的植入物，第二侧与第一侧相对；以及

形成第一阴极区和第二阴极区，其通过在第一方向上延伸的第一成角度的植入物和第二成角度的植入物的部分耦合。