[发明专利]一种低功耗高速片上电容LDO电路

权利要求书

1.一种电路结构，包括：

一种低功耗高速片上电容LDO电路结构，具体电路结构包括：NMOS电流镜M7、M6、M0，PMOS电流镜M8、M3，差分对管M1、M2，功率管MP，反馈电阻R1、R2，负载电容Co，负载电阻RL，补偿电容Cc；M7管的源极接地，漏极和栅极接输入偏置电流IB，并连接到M6、M7的栅极；M6的源极接地，栅极接偏置电流IB，漏极接M8的漏极、栅极和M3的栅极；M0的源极接地，漏极接M1、M2的源极，栅极接偏置电流IB；M8的源极接电源VDD，栅极和漏极接M6的漏极和M3的栅极；M3的源极接电源VDD，漏极接功率管MP的栅极结点VG，源极接M8的漏极、栅极和M6的漏极；功率管MP的栅极结点VG接M3的漏极、M1的漏极和补偿电容Cc的一端，漏极为LDO的输出结点OUT；M1的源极接M0的漏极和M2的源极，漏极接结点VG，栅极接参考电压VREF；M2的源极接M0的漏极和M1的栅极，漏极接结点OUT，栅极接反馈电阻的反馈结点VFB；反馈电阻R1的一端接输出结点OUT，；另一端接反馈电阻R2的一端和M2的栅极作为反馈电阻的反馈结点VFB；反馈电阻R2的一端接反馈结点VFB，另一端接地；负载电容Co的一端接输出结点OUT，另一端接地；负载电阻的一端接输出结点OUT，另一端接地；补偿电容Cc的一端接结点VG，另一端接输出结点OUT。

2.根据权利1所述一种电路结构，该电路结构的特点为差分对管M1、M2为非对称结构，M1、M2的尺寸比值为1：K（K>1）。

3.根据权利1所述一种电路结构，该电路结构的特点为差分对管M2的电流作为负载电流的一部分，提高LDO的空载稳定性和静态功耗。