[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910428920.6 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110676374B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 徐文彬;李明逵 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 马小星 |
| 地址： | 361021 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻变存储器的制备方法，包括以下步骤：
在底电极上沉积阻变材料，形成非晶态阻变层；所述非晶态阻变层的厚度为80～120nm；
在所述非晶态阻变层上制备纳米管阵列，形成屏蔽层；所述纳米管阵列的孔洞直径为40～100nm，孔洞间距为20～60nm；
对形成所述屏蔽层的整体结构进行氧气等离子强化退火处理，将所述非晶态阻变层转为高结晶阵列区；所述高结晶阵列区中，高结晶区的深度为30～100nm；
去除所述屏蔽层，并在所述高结晶阵列区的表面制备顶电极，得到阻变存储器。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻变材料的材质为金属氧化物。
3.如权利要求1～2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述氧气等离子强化退火处理中，氧气的流量为2.0～4.0sccm，氧气压力为1～2Pa，温度为100～200℃，功率为150～300W，保温时间为30～60min。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述屏蔽层后，还包括对去除所述屏蔽层后的整体结构进行退火。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为200～300℃，保温时间为30～60min，所述退火在氮气气氛下进行。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述底电极和顶电极为依次层叠的Cr层、Cu层和Cr层。
7.权利要求1～6任一项所述制备方法制备得到的阻变存储器。
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