[发明专利]具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低、节能环保、安全性高等特点，成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其被广泛应用于照明、 显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

传统发光二极管一般在直流电下工作，单颗LED芯片电压一般在2-4V之间。在实际应用中，尤其是大功率光源中，一般采用串联的方式实现，比如在封装过程中一颗灯珠采用多颗LED芯片串联，或者在灯具装配过程中一个发光模组采用多颗灯珠串联。但是这些方式增加了体积、工序和成本。为了解决这些问题，一般采用在芯片级串联为高压二极管的设计，这种设计可以有效减少封装体积和工序。但是，现有的高压二极管的串联结构大都为将不同发光结构的上下面的P型层和N型层串联，由于不同发光结构的P型层和N型层不再同一水平面上而需要桥接连接，使得桥接结构具有一定高度差，而较易出现短路或开路的情况。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，有效解决现有技术存在的问题，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管的制作方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上生长有外延结构，所述外延结构包括自所述衬底方向依次叠加的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；

在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧形成导电连接层；

在所述导电连接层一侧分割为第一发光结构至第N发光结构，任意相邻两个发光结构之间形成隔离槽，所述隔离槽裸露所述衬底，N为不小于2的整数；

自所述导电连接层起，在第i发光结构上形成第一连接槽，所述第一连接槽裸露所述第一类型半导体层，i为奇数或偶数，且在i为奇数且N为奇数时所述第一发光结构或所述第N发光结构上无形成所述第一连接槽；

在所述导电连接层背离所述衬底一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述隔离槽、所述第i发光结构对应的导电连接层背离所述衬底一侧表面和所述第一连接槽的侧壁，且在i为偶数且N为奇数时，所述第一绝缘层还覆盖所述第N发光结构对应的导电连接层背离所述衬底一侧表面；

在所述第一绝缘层背离所述衬底一侧形成多个第一串联电极，其中，自所述第一发光结构起，相邻两个发光结构的第一连接槽处第一类型半导体层和导电连接层通过一所述第一串联电极电连接；

在所述第一串联电极和所述第一绝缘层背离所述衬底一侧固定一支撑基板；

去除所述衬底；

自所述第一类型半导体层起，在所述第i发光结构上形成第二连接槽，所述第二连接槽裸露所述导电连接层，其中，在i为偶数且N为奇数时，同时在所述第N发光结构上形成所述第二连接槽；