[发明专利]一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法

权利要求书

1.一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法，在器件的硅衬底上形成一层无定形的氮化硅薄膜，阻挡铝原子向硅衬底的扩散。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为1～20nm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过对硅衬底通氨气进行氮化预处理在硅衬底上形成无定形氮化硅薄膜。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，以一定流量对硅衬底通氨气5～60秒。

5.一种制备硅基氮化镓射频器件的制备方法，包括以下步骤：

1)选择高阻硅衬底，对硅衬底预通氨气，使硅衬底上形成一层无定形的氮化硅薄膜；

2)在表面已形成氮化硅薄膜的复合硅衬底上进行氮化镓器件结构的外延，最后做成射频器件。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述氮化硅薄膜的厚度为1～20nm。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中以一定流量对硅衬底通氨气5～60秒，在硅衬底上形成无定形的氮化硅薄膜。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤2)在表面已形成氮化硅薄膜的复合硅衬底上依次外延生长氮化铝成核层、氮化镓外延层、氮化铝插入层和铝镓氮势垒层，所述铝镓氮势垒层与氮化镓外延层和氮化铝插入层一起构成半导体异质结构，以此结构为基础建构射频器件。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中进行外延生长的方法选自下列方法中的一种或多种：金属有机化合物气相外延、分子束外延、氢化物气相外延和化学气相沉积。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中采用的氨气流量与步骤2)中外延生长氮化铝时的氨气流量一致。