[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括：

一第一晶粒，包括一第一前侧以及相对于该第一前侧的一第一背侧；

一第二晶粒，包括一第二前侧及相对于该第二前侧的一第二背侧；

一混合接合结构，设置在该第一晶粒的该第一背侧和该第二晶粒的该第二前侧之间，

其中该第一晶粒和该第二晶粒通过该混合接合结构彼此接合，并且该混合接合结构包括彼此接合的一有机阻挡层和一无机阻挡层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，该第一晶粒还包括：

一第一穿硅通孔结构，通过该第一背侧暴露，以及

一第一互连结构，设置在该第一前侧的上方，

其中该第一穿硅通孔结构电连接到第一互连结构。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中该第一穿硅通孔结构包括一突起，延伸到该混合接合结构中。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其中该第一穿硅通孔结构的该突起的一高度在约1微米(μm)与约5μm之间。

5.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中该第二晶粒还包括：

一第二穿硅通孔结构，通过该第二背侧暴露，以及

一第二互连结构，设置在该第二前侧的上方；以及

一接合垫，通过该第二前侧暴露，

其中该第二互连结构电连接到第二穿硅通孔结构和该接合垫。

6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其中该第一晶粒的该第一穿硅通孔结构接合到该第二晶粒的该接合垫。

7.如权利要求5所述的半导体封装结构，还包括设置在该第二晶粒的该第二背面上方的一导电构件，该导电构件电连接到该第二穿硅通孔结构。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该混合接合结构的该有机阻挡层包括苯并环丁烯、聚苯并恶唑或聚酰亚胺。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该有机阻挡层的一厚度介于约1μm与约5μm之间。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该混合接合结构的该无机阻挡层包括氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)或碳氮化硅(SiCN)。

11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该有机阻挡层的一厚度介于约1μm与约5μm之间。

12.一种半导体封装结构的制备方法，包括：

提供一第一晶粒，该第一晶粒具有一第一前侧、与该第一前侧相对的一第一背侧和设置在该第一晶粒中的一第一穿硅通孔结构；

在第一背侧去除第一晶粒的一部分以暴露第一穿硅通孔结构；

在该第一晶粒的该第一背面的上方设置一有机阻挡层；

提供一第二晶粒，该第二晶粒具有一第二前侧、与该第二前侧相对的一第二背侧和通过该第二晶粒的第二前侧暴露的一接合垫，以及设置在该第二晶粒的该第二前侧上方的一无机阻挡层；以及

接合该第一晶粒的该有机阻挡层和该第二晶粒的该无机阻挡层，接合该第一晶粒的该第一穿硅通孔结构和该第二晶粒的该接合垫。

13.如权利要求12所述的制备方法，其中在去除该第一晶粒的该部分之后，该第一穿硅通孔结构的一突起从该第一晶粒的该第一背侧突出。

14.如权利要求13所述的制备方法，其中该第一穿硅通孔结构的该突起的一高度在约1微米(μm)与约5μm之间。

15.如权利要求13所述的制备方法，其中该有机阻挡层的设置还包括：

设置该有机阻挡层以包围第一穿硅通孔结构的该突起；以及

在该有机阻挡层上进行一平坦化以暴露该突起的一端面。