[发明专利]一种在微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1）将铁盐和氢氧化钠置于聚乙二醇和水的混合溶液中，搅拌混匀，再加入钡盐继续搅拌，所得混合溶液水热反应，得到微米级片状结构的氧化铁；

2）将步骤1）得到的微片结构的氧化铁除杂质；

3）将步骤2）处理后的微片结构的氧化铁与镍源、钴源和尿素一起置于去离子水中，混合后，再加入氟化铵搅拌混匀，然后将得到混合溶液水热反应，反应结束得产物；

4）将步骤3）所收集产物在空气氛围下退火焙烧，得到微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料；

步骤3）中尿素与氟化铵物质的量之比为18:7，微片结构的氧化铁与尿素物质的量之比范围是1:24-1:120；

步骤3）中镍源与钴源的摩尔比为1:2，微片结构的氧化铁与镍源摩尔比为1:2-1:10；

所制备的微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料形貌为：在微片结构的氧化铁圆盘侧边生长放射状三维阵列结构钴酸镍纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中铁盐和钡盐的摩尔比为13:1，铁盐在混合溶液中浓度为0.19-0.20mol/L。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中所述水热反应温度为180℃~200℃，反应时间为22~26小时。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述镍源在混合溶液中浓度为0.025mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述水热反应温度为100℃~140℃，反应时间2~4小时。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4）中所述焙烧温度为400℃~500℃，焙烧时间1.5~2.5小时。

7.一种权利要求1-6任一项所述制备方法制备得到的微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料。

8.一种权利要求1-6任一项所述制备方法制备得到的微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料作为锂离子电池负极材料的应用。