[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

多个间隔设置的遮挡层，设置于基板上；

介电层，铺设于所述基板上且覆盖所述遮挡层，所述介电层包括图案化的介电图案，所述介电图案包括主体介电图案，和位于所述主体介电图案至少一侧的辅助介电图案，其中，所述辅助介电图案的横截面积大于所述主体介电图案的横截面积；

栅极绝缘层，设置于所述介电层上，且所述介电层用于吸收所述栅极绝缘层中的静电。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主体介电图案与所述遮挡层部分重叠，形成有重叠区域与非重叠区域；

所述辅助介电图案与所述遮挡层不重叠，且相邻两个所述主体介电图案之间设有所述辅助介电图案。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述介电层内植入有用于吸收所述栅极绝缘层中的静电的导电粒子，所述导电粒子中的正电荷粒子与负电荷粒子的数量相同。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中还包括用于屏蔽所述栅极绝缘层中的静电的金属屏蔽层；

其中，所述金属屏蔽层包括第一屏蔽层与第二屏蔽层，所述第一屏蔽层设置于所述遮挡层与所述介电层之间，所述第二屏蔽层设置于所述栅极绝缘层与所述介电层之间。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助介电图案内设有第一介电电容，所述主体介电图案内设有第二介电电容，且所述第一介电电容的介电常数大于所述第二介电电容的介电常数。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主体介电图案与所述辅助介电图案的间距小于或等于相邻所述遮挡层之间的间距。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成多个间隔设置的遮挡层；

在设置有多个间隔设置的所述遮挡层上形成介电层，所述介电层包括图案化的介电图案，所述介电图案包括主体介电图案，和所述主体介电图案至少一侧的辅助介电图案，其中，所述辅助介电图案的横截面积大于所述主体介电图案的横截面积；

在所述介电层上形成栅极绝缘层，且所述介电层用于吸收所述栅极绝缘层中的静电。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在设置有多个间隔设置的遮挡层上形成介电层，具体包括：

在设置有多个间隔设置的遮挡层上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层的表面涂覆介电层材料；

根据所述介电图案设计掩模板，并利用所述掩模板对所述介电层材料进行光刻；

对光刻后的所述介电层材料植入导电粒子，以形成所述介电层。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述主体介电图案与所述遮挡层部分重叠，形成有重叠区域与非重叠区域，所述在所述介电层上方形成栅极绝缘层之后，还包括：

在所述栅极绝缘层上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的位置与所述主体介电图案的位置对应；

其中，所述薄膜晶体管的源极在所述重叠区域处，以及所述薄膜晶体管的漏极在所述非重叠区域处，均通过过孔与所述介电层电连接。