[发明专利]大面积双面硅漂移探测器的加工工艺

权利要求书

1.一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺，其特征在于，整个工艺在恒温恒湿的百级超净间中进行，包括以下步骤：

S1，在氧化炉中对晶圆进行吸杂氧化：对氧化炉多次长时间清洗，同时用高纯氮和高纯氧不间断供给，纯化氧化炉内的气体环境，使空间干燥；设置特殊气体和特殊温度梯度组合，将晶圆放入氧化炉中；分阶段调节氧化炉炉体温度至所需的温度，设置每一阶段的氧化时间，氧化结束后，取出晶圆并在金相显微镜下检查无损后封存；

所述特殊气体为含有三氯乙酸的氧气，三氯乙酸含量为1-2mL/min；所述特殊温度梯度为一个高温-中温-高温的梯度，高温的温度范围为1000℃至1200℃，中温的温度范围为700℃至1000℃，氧化时长为36h～72h；

S2，分别利用匀胶机、光刻机、显影柜、加热台、刻蚀柜和酸洗柜在所述S1中氧化后的晶圆上制作双面光刻对准标记；

S3，对所述S2中处理后的晶圆进行正反面P型注入刻蚀；

S4，将所述S3中处理后的晶圆进行N型注入刻蚀；

S5，将S4中注入刻蚀后的晶圆利用退火炉进行热退火；

S6，将所述S5中热退火后的晶圆进行正反面注入区域氧化层全刻蚀；

S7，将所述S6中处理后的晶圆利用磁控溅射仪进行镀铝，再进行正反面电极的制作；

S8，将所述S7中处理后的晶圆利用退火炉进行快速退火。

2.根据权利要求1所述的一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺，其特征在于，所述S2中双面光刻对准标记的制作过程包括以下步骤：

S21，将所述S1中氧化后的晶圆经烘干冷却至室温后，放置于匀胶机上，设定匀胶转速、匀胶时长和滴胶量分别对晶圆的正面和反面涂抹光刻胶；涂胶后利用加热台分别对晶圆正反两面进行烘干；

S22，开启光刻机中的上下汞灯，校准光强，使双面曝光上下表面的曝光时长相同；再安装上下掩模版，并真空吸附掩模版，同时对上下掩模版进行对准调节；调节后将所述S21中处理后的晶圆放置在下掩模版上，调整晶圆位置至掩模版的正中间，合上上下掩模版，真空密着后进行曝光；

S23，将S22中曝光后的晶圆放入显影柜的显影槽中进行显影，配置合适配比的正胶显影液，所述合适配比的正胶显影液中显影液和水的配比为9:1；根据汞灯光强和曝光时长以及多次实验记录预先估计显影时长；显影完成后将晶圆用去离子水清洗晶圆上残留的显影液，待吹干后并用金相显微镜进行检查；所述S23中的曝光时长为15s；

S24，将所述S23中处理后的晶圆放置加热台中烘干，烘干时间长于所述S21中对晶圆正反两面进行烘干的时间，以保证光刻胶足够致密，HF刻蚀液不会渗透过光刻胶；

S25，将S24中得到的晶圆放置刻蚀柜中，根据刻蚀要求和其他工艺情况配置二氧化硅刻蚀液，并根据晶圆表面二氧化硅在所配得的刻蚀液中的反应速率确定刻蚀时长；刻蚀对准标记后，将晶圆放置清洗柜中用去离子水清洗晶圆上残留的刻蚀液；再将清洗好的晶圆放置于盛有光刻胶剥离液烧杯中进行去胶；去胶后将晶圆用去离子水清洗，再利用酸洗机进行酸洗。