[发明专利]声学流体构件及其制造方法在审
申请号: | 201910431220.2 | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN110508336A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | A·温克勒;C·亨策;T·杰明 | 申请(专利权)人: | 德累斯顿莱布尼茨固体材料研究所 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00;G01D5/48 |
代理公司: | 11418 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 赵飞<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声学流体 微流体 转换构件 声学 声波 光刻结构 层压 制造 芯片实验室系统 传播方向 压电衬底 感应式 微系统 致动器 波长 激发 壁部 可用 改进 | ||
1.一种声学流体构件,在所述声学流体构件中,在压电衬底上和/或在非压电衬底上的压电层上和/或在压电层上的非压电衬底上布置至少一个微流体构件和至少一个声学转换构件,其中,所述至少一个微流体构件设置在所述声学转换构件激发的声波的至少一个传播方向中且至少部分地借助层压和光刻结构化制造的至少一个微流体构件具有底部、壁部和盖,其中,至少借助层压和光刻结构化制造所述盖,并且所述微流体构件的盖厚度为由声学转换构件激发的声波的波长的0.01至10倍。
2.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,衬底为由单种玻璃/多种玻璃/单种陶瓷/多种陶瓷(例如SiO2、Al2O3、Si3N4、TiN、SiN、硼硅玻璃)、压电材料(例如石英、LiNbO3、黑色LiNbO3、黄黑LiNbO3、LiTaO3、AlN、Sc-AlN、ZnO、CTGS、硅酸镓镧、磷酸镓、PZT、PMN-PT、PVDF)、金属/金属合金(例如Al、Cu、Ti、Ta、TiAl、CuTi)或聚合物(PMMA、PTFE、PEEK、聚酰亚胺、PET、COP、PDMS、PC、COC、聚己内酯、PS)或光刻胶(例如SUEX、ADEX、TMMF S2045、Ordyl、SU-8)制成、或由半导体(Si、GaAs、InAs、GaN)或由这些材料组合制成的板或薄膜或微芯片;和/或其中衬底为由在非压电衬底上的所述材料构成的层。
3.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,存在用于激发表面波、板波和/或体波的声学转换构件。
4.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,存在这种声学转换构件,借助该声学转换构件激发小于1mm、有利地在1μm和500μm之间的波长。
5.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,存在这样的微流体构件,其已经通过层压至少两个能光刻结构化的表面元件和后续的光刻结构化在一个或多个流体平面中制成。
6.根据权利要求5所述的声学流体构件,其中,能光刻结构化的表面元件为薄膜、光阻膜、玻璃板、玻璃膜或聚合物膜。
7.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,所述微流体构件的壁部的厚度小于声学转换构件激发的声波的波长,和/或其中,所述微流体构件的壁部的高度为所述声学转换构件激发的声波的波长的0.1至10倍。
8.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,所述微流体构件的底部由衬底和/或经涂层的衬底和/或由微流体构件的盖形成。
9.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,所述微流体构件的盖厚度为由声学转换构件激发的声波的波长的0.05至1倍。
10.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,存在这样的声学转换构件,借助所述声学转换构件根据激发的声波且根据所述微流体构件的几何尺寸并且根据所述微流体构件在由声学转换构件激发的声波的传播方向上的位置有针对性地利用如受激发的波的衰减、放大、干涉、衍射、折射和/或反射的效果,以便在至少一个流体平面中激发在微流体构件之内的流体之内的波场。
11.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,微流体构件和转换构件在多个流体平面中彼此并排且叠置布置。
12.根据权利要求1所述的声学流体构件,其中,所述微流体构件的壁部和/或底部被表面涂层和/或表面结构化和/或变形。
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