[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的堆叠结构，以及形成穿过所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔的顶部孔径大于底部孔径；

形成填充所述沟道孔和覆盖所述堆叠结构的牺牲层；

在所述牺牲层的表面覆盖第一贴合层；

提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第二贴合层；

翻转所述第一晶圆，贴合所述第一晶圆的第一贴合层和所述第二晶圆的第二贴合层；

去除所述第一衬底和所述牺牲层。

2.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述沟道孔穿过部分第一衬底。

3.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，还包括在所述牺牲层的表面和第一贴合层之间覆盖绝缘层和第二衬底。

4.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第二晶圆还包括第三衬底，所述第二贴合层形成于所述第三衬底上。

5.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，形成填充所述沟道孔和覆盖所述堆叠结构的牺牲层之后还包括：平坦化所述牺牲层的表面。

6.如权利要求5所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，平坦化所述牺牲层的表面之后还包括：去除所述沟道孔中的部分牺牲层。

7.如权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述堆叠结构包括交替堆叠而成的第一材料层和第二材料层，去除所述沟道孔中的部分牺牲层的厚度不超过所述堆叠结构中位于最上方的第一材料层的厚度。

8.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一贴合层和/或所述第二贴合层的材料为氮化碳。

9.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，翻转所述第一晶圆后，以所述第一晶圆靠近第二晶圆的部分为底部，所述第一晶圆远离第二晶圆的部分为顶部，所述沟道孔的顶部孔径小于底部孔径。

10.如权利要求9所述的三维存储器的制备方法，其中翻转后的第一晶圆的沟道孔的孔径大小沿所述沟道孔的开口向底部逐渐增加。

11.一种三维存储器的制备方法，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的堆叠结构，以及形成穿过所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔的顶部孔径大于底部孔径；

形成填充所述沟道孔和覆盖所述堆叠结构的牺牲层；

在所述牺牲层的表面覆盖绝缘层和第二衬底；

提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第三衬底；

翻转所述第一晶圆，将所述第一晶圆的第二衬底和第二晶圆的第三衬底进行键合；

去除所述第一衬底和所述牺牲层。

12.一种三维存储器，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆包括第一贴合层、依次形成于所述第一贴合层之上的第一衬底和堆叠结构，以及穿过所述堆叠结构的沟道孔；

第二晶圆，所述第二晶圆包括第二贴合层与第三衬底，所述第二贴合层与所述第一贴合层贴合；

其中，以所述第一晶圆靠近第二晶圆的部分为底部，所述第一晶圆远离第二晶圆的部分为顶部，所述沟道孔顶部的孔径小于底部的孔径。

13.如权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述第一衬底和所述堆叠结构之间还包括绝缘层。

14.如权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述第一衬底向所述沟道孔中凸出。