[发明专利]具有线性补偿功能的多级功率放大器在审
申请号: | 201910432520.2 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110690861A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 崔圭珍;赵济熙 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钱海洋;田硕 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏置电流 多级功率放大器 放大电路 检测电压 包络检测电路 偏置补偿电路 输出直流 输入射频 线性补偿 包络 响应 | ||
1.一种多级功率放大器,包括:
第一放大电路,被配置为接收第一偏置电流;
第二放大电路,被配置为接收第二偏置电流;
包络检测电路,被配置为基于输入射频信号的包络输出直流检测电压;以及
偏置补偿电路,被配置为基于所述直流检测电压,基于高功率驱动区中的所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。
2.根据权利要求1所述的多级功率放大器,其中,所述偏置补偿电路被配置为响应于所述直流检测电压基于从所述第二偏置电流提取的灌电流来产生补偿电流,并且将产生的所述补偿电流供应给所述第一放大电路的偏置端子。
3.根据权利要求1所述的多级功率放大器,所述多级功率放大器还包括:
第一偏置电路,被配置为供应所述第一偏置电流;以及
第二偏置电路,被配置为供应所述第二偏置电流。
4.根据权利要求2所述的多级功率放大器,其中,所述包络检测电路还被配置为从所述射频信号检测包络信号,并且基于检测到的所述包络信号输出所述直流检测电压。
5.根据权利要求4所述的多级功率放大器,其中,所述包络检测电路包括:
信号提取电路,被配置为从所述射频信号提取所述包络信号;
整流电路,被配置为对提取的所述包络信号进行整流并输出所述直流检测电压;以及
滤波器电路,被配置为从所述直流检测电压去除交流分量以使所述直流检测电压稳定。
6.根据权利要求5所述的多级功率放大器,其中,所述包络检测电路还被配置为通过所述整流电路的输入端子从外部源接收控制电压。
7.根据权利要求4所述的多级功率放大器,其中,所述偏置补偿电路包括放大电路,所述放大电路包括放大晶体管,
其中,所述放大电路被配置为接收所述直流检测电压作为所述放大晶体管的偏置电压,当所述直流检测电压等于或大于导通电压时放大所述灌电流,并且输出所述补偿电流。
8.一种多级功率放大器,包括:
第一偏置电路,被配置为供应第一偏置电流;
第二偏置电路,被配置为供应第二偏置电流;
第一放大电路,被配置为接收所述第一偏置电流;
第二放大电路,被配置为接收所述第二偏置电流;
包络检测电路,被配置为基于输入射频信号的包络输出直流检测电压;以及
偏置补偿电路,被配置为基于所述直流检测电压,基于从所述第二偏置电路分支出的灌电流来补偿所述第一偏置电流。
9.根据权利要求8所述的多级功率放大器,其中,所述第二偏置电路包括偏置晶体管,所述偏置晶体管被配置为放大内部电流以输出所述第二偏置电流,并且
所述偏置补偿电路被配置为被供应从所述偏置晶体管的基极、所述偏置晶体管的集电极和所述偏置晶体管的发射极中的一个分支出的所述灌电流。
10.根据权利要求9所述的多级功率放大器,其中,所述偏置补偿电路被配置为响应于所述直流检测电压基于所述灌电流来产生补偿电流,并将产生的所述补偿电流供应给所述第一放大电路的偏置端子。
11.根据权利要求10所述的多级功率放大器,其中,所述包络检测电路还被配置为从所述射频信号检测包络信号,并基于检测到的所述包络信号输出所述直流检测电压。
12.根据权利要求11所述的多级功率放大器,其中,所述包络检测电路包括:
信号提取电路,被配置为从所述射频信号提取所述包络信号;
整流电路,被配置为对提取的所述包络信号进行整流并输出所述直流检测电压;以及
滤波器电路,被配置为从所述直流检测电压去除交流分量以使所述直流检测电压稳定。
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