[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审

申请号：	201910432528.9	申请日：	2019-05-23
公开（公告）号：	CN110556311A	公开（公告）日：	2019-12-10
发明（设计）人：	佐田彻也;麻生丰	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	11322 北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	热处理部热处理排气机构输送机构平流基片处理装置均匀性排气上游
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【说明书】：

本发明提供一种提高热处理时的基片温度的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、第一热处理部、第二热处理部和排气机构。输送机构平流地输送基片。第一热处理部对被平流地输送来的基片进行热处理。第二热处理部与第一热处理部连续地设置，对由第一热处理部进行了热处理的基片以比第一热处理部低的温度进行热处理。排气机构从第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比第一热处理部靠基片的输送方向的上游侧和第二热处理部侧流向第一热处理部内。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

在专利文献1中，发明了对由辊输送装置平流地(日文：平流し)输送的基片，通过预加热部和主加热部对基片进行加热的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－66318号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明提供一种提高热处理时基片温度的均匀性的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方式的基片处理装置包括输送机构、第一热处理部、第二热处理部和排气机构。输送机构平流地输送基片。第一热处理部对被平流地输送来的基片进行热处理。第二热处理部与第一热处理部连续地设置，对由第一热处理部进行了热处理的基片以比第一热处理部低的温度进行热处理。排气机构从第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比第一热处理部靠基片的输送方向的上游侧和第二热处理部侧流向第一热处理部内。

发明效果

根据本发明，能够提高热处理时的基片温度的均匀性。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构的示意图。

图2是表示由实施方式的辊输送装置进行的基片输送的示意图。

图3是表示实施方式的第二加热单元的概略结构的示意图。

图4是表示实施方式的第一排气口和第二排气口的配置的示意图。

图5是表示实施方式的第二加热单元中的空气的气流的图。

图6是表示比较例的第二加热单元中的空气的气流的图。

图7是表示实施方式的第二加热单元和比较例的第二加热单元中的基片的温度的图。

图8是表示实施方式的第二加热单元和比较例的第二加热单元中的基片的温度差的图。

图9是表示实施方式的排气处理中的腔室内的气氛温度的变化的图。