[发明专利]孔的刻蚀残留物的清洗方法

权利要求书

1.一种孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在基底上进行刻蚀形成孔，在所述孔的底部表面和侧面形成有刻蚀残留的聚合物；

步骤二、采用具有还原性的等离子体进行对所述孔进行清洗处理，利用所述等离子体的还原性去除所述聚合物，利用所述等离子体能深入到所述孔的内部的特性实现对所述孔的内部的底部表面和侧面的所述聚合物的完全清洗。

2.如权利要求1所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：所述基底为半导体衬底。

3.如权利要求2所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

4.如权利要求2所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：所述孔为接触孔。

5.如权利要求4所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：在所述基底上形成有集成电路的前段器件结构。

6.如权利要求5所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：所述前段器件结构包括栅极结构、源区和漏区，所述栅极结构由栅介质层和多晶硅栅叠加而成。

7.如权利要求6所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：所述孔由对层间膜刻蚀形成。

8.如权利要求7所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：所述层间膜为氧化层。

9.如权利要求8所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：在所述层间膜的底部还形成有接触刻蚀停止层，所述接触刻蚀停止层覆盖在所述栅极结构的顶部表面和侧面以及所述栅极结构外的所述基底表面；所述接触刻蚀停止层的材料为氮化层。

10.如权利要求1所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：步骤二中产生具有还原性的所述等离子体的工艺气体由氮气和氢气组成。

11.如权利要求1所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：在步骤二的所述清洗处理过程中还加入偏置功率，所述偏置功率提高所述等离子体向所述孔的内部的轰击能力。

12.如权利要求1所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：步骤二中所述等离子体处理完毕后还包括采用APM溶液对所述接触孔进行处理，所述APM溶液使被所述等离子体处理过的所述聚合物都转换为气体。

13.如权利要求5所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：所述集成电路的工艺节点为28nm以下，所述孔的宽度为40nm以下。

14.如权利要求1所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：步骤二的所述清洗处理在灰化设备中进行。

15.如权利要求4所述的孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于：在步骤二完成对所述孔的所述清洗处理后，还包括在所述孔中填充金属的步骤。