[发明专利]一种场效应管应变传感器在审

申请号：	201910432744.3	申请日：	2019-05-23
公开（公告）号：	CN110174193A	公开（公告）日：	2019-08-27
发明（设计）人：	渠开放;江斌;程庆苏;李桂华;吉娜;王伟	申请（专利权）人：	南京邮电大学
主分类号：	G01L1/12	分类号：	G01L1/12;G01L9/16
代理公司：	南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204	代理人：	柏尚春
地址：	210003 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	沟道层应变传感器栅极氧化层场效应管隔离层上表面漏区源区绝缘体栅极氧化层表面传感器实现磁性材料两侧设置量子干涉表面态低功率法布里纳米级异质结功耗漏极拓扑源极探测施加应用
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【权利要求书】：

1.一种场效应管应变传感器，其特征在于：包括隔离层(1)，设置于隔离层(1)上表面的源区(2)、第一沟道层(3)和漏区(4)，所述第一沟道层(3)上表面中部设置栅极氧化层(5)，两侧设置第二沟道层(6)；所述源区(2)、第二沟道层(6)、栅极氧化层(5)和漏区(4)的上表面齐平；所述栅极氧化层(5)上设置有栅极(7)，所述源区(2)的一侧设置有源极(8)，所述漏区(4)一侧设置有漏极(9)；所述第一沟道层(3)为拓扑绝缘体，所述第二沟道层(6)为磁性材料；所述栅极氧化层(5)表面施加一向下的力。

2.根据权利要求1所述的一种场效应管应变传感器，其特征在于：所述隔离层(1)为SiO₂。

3.根据权利要求1所述的一种场效应管应变传感器，其特征在于：所述拓扑绝缘体为三维拓扑绝缘体或拓扑晶体绝缘体。

4.根据权利要求3所述的一种场效应管应变传感器，其特征在于：所述三维拓扑绝缘体为Bi₂Se₃、Sb₂Se₃、InSb或Li₂IrO₃。

5.根据权利要求1所述的一种场效应管应变传感器，其特征在于：所述磁性材料为CrI3。

6.根据权利要求1所述的一种场效应管应变传感器，其特征在于：所述第二沟道层(6)和向下的力在顶部形成FM-strained-FM结。

7.根据权利要求6所述的一种场效应管应变传感器，其特征在于：所述FM-strained-FM结与第一沟道层(3)形成FM-strained-FM-TI异质结。

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