[发明专利]一种液体浓度控制装置在审
申请号: | 201910432902.5 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110112085A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 李丹;高英哲;张文福 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 混合槽 连通 液体补充 第一端 进液阀 反向阀 排液槽 排液阀 浓度控制装置 | ||
1.一种液体浓度控制装置,包括:
第一液体补充单元;
第二液体补充单元;
混合槽进液阀,所述第一液体补充单元、第二液体补充单元连通至所述混合槽进液阀的第一端;
混合槽,所述混合槽连通至所述混合槽进液阀的第二段;
混合槽排液阀,所述混合槽排液阀的第一端连通至所述混合槽;
排液槽,所述排液槽连通至所述混合槽排液阀的第二端;以及
反向阀,所述反向阀第一端连通至所述混合槽进液阀的第一端,所述反向阀的第二端连通至所述排液槽。
2.如权利要求1所述的液体浓度控制装置,其特征在于,所述第一液体补充单元用于补充去离子水;所述第二液体补充单元用于补充稀释氢氟酸DHF。
3.如权利要求1所述的液体浓度控制装置,其特征在于,所述第一液体补充单元进一步包括:
流量计,所述流量计的第一端连通至第一液体供给端,用于检测并反馈所述第一液体补充单元的液体流量数据;
空气调节阀,所述空气调节阀的第一端连接至所述流量计的第二端,所述空气调节阀基于压缩空气压力对第一液体补充单元的液体流量进行控制;以及
第一液体补充阀,所述第一液体补充阀的第一端连通至所述空气调节阀的第二端,所述第一液体补充阀的第二端连接至所述混合槽进液阀以及所述反向阀;所第一液体补充阀用于控制第一液体补充的开启或关闭。
4.如权利要求3所述的液体浓度控制装置,其特征在于,所述第一液体补充单元补充的液体为去离子水DIW。
5.如权利要求1所述的液体浓度控制装置,其特征在于,所述第二液体补充单元进一步包括:
第二液体进液阀,所述第二液体进液阀第一端连通至第二液体供给端;
压力调节阀,所述压力调节阀用于控制进入气体的压力范围,所述压力调节阀的第一端连通至气源;
氮气阀,所述氮气阀用于控制所述气源的开启和关闭,所述氮气阀第一端连通至所述压力调节阀;
化学品供应盒CSB,所述CSB连通至所述第二液体进液阀的第二端和所述氮气阀的第二端;
第二液体出液一阀,所述第二液体出液一阀的第一端连接至所述CSB;
流量计,所述流量计的第一端连通至第二液体出液一阀,用于检测并反馈所述第二液体补充单元的液体流量数据;以及
第二液体出液二阀,所述第二液体出液二阀的第一端连通至所述流量计的第二端,所述第二液体出液二阀的第二端连通至所述混合槽进液阀以及所述反向阀。
6.如权利要求5所述的液体浓度控制装置,其特征在于,所述第二液体补充单元补充的液体为氢氟酸HF;所述气源为氮气N2。
7.如权利要求1所述的液体浓度控制装置,其特征在于,还包括第二液体排液阀,所述第二液体排液阀用于直接从第二液体补充单元的CSB排除第二液体至所述排液槽。
8.如权利要求1所述的液体浓度控制装置,其特征在于,所述混合槽进液阀和所述反向阀互为相反开关控制,且受同一个控制信号控制,当所述控制信号控制所述混合槽进液阀开启时,所述反向阀关闭;当所述控制信号控制所述混合槽进液阀关闭时,所述反向阀开启。
9.如权利要求8所述的液体浓度控制装置,其特征在于,所述混合槽进液阀和所述反向阀为气阀,所述同一个控制信号来自同一给气电磁阀。
10.如权利要求8所述的液体浓度控制装置,其特征在于,在进行补液时,将所述混合槽进液阀和所述反向阀设定延迟ΔT后开启/关闭,从而实现所述混合槽进液阀未开启前,先将不稳定的液体流量通过所述反向阀直接排到所述排液槽中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910432902.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件清洗装置
- 下一篇:一种半导体片清洗设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造