[发明专利]具有用于促进连通性测试的贯穿堆叠互连的半导体装置

权利要求书

1.一种用于测试延伸穿过半导体裸片堆叠的贯穿堆叠互连的连通性的方法，所述方法包括：

确定延伸穿过所述堆叠的第一部分的第一贯穿堆叠互连的电阻；及

基于所述所确定的电阻，确定延伸穿过堆叠的第二部分的多个第二贯穿堆叠互连的所述连通性，其中所述堆叠的所述第二部分比所述堆叠的所述第一部分更不易于发生连通性缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述堆叠的所述第一部分侧向位于所述第二部分的外侧处。

3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一贯穿堆叠互连的所述电阻包含确定由所述半导体裸片中的一者的检测电路输出的信号的逻辑状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其中确定所述第二堆叠互连的所述连通性包含：

当所述逻辑状态为第一逻辑状态时，确定基本上所有所述第二贯穿堆叠互连均电连接；及

当所述逻辑状态为第二逻辑状态时，确定所述第二贯穿堆叠互连的至少部分电断开连接。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在无需使电流通过所述多个第二贯穿堆叠互连中的任何一者的情况下，执行确定所述第二贯穿堆叠互连的所述连通性。

6.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一贯穿堆叠互连的所述电阻包含：

在第一半导体裸片上启用第一信号源，所述第一信号源电连接到所述第一贯穿堆叠互连；

在第二半导体裸片上启用第一信号源，所述第二信号源电连接到所述第二贯穿堆叠互连；及

基于在所述第一半导体裸片处检测到的所述第一贯穿堆叠互连的输出信号确定所述第一贯穿堆叠互连的所述电阻。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一信号源为所述第一半导体裸片的p沟道，其经配置以产生第一驱动强度，其中所述第二信号源为所述第二半导体裸片的n沟道，其经配置以产生第二驱动强度，且其中所述第二驱动强度为所述第一驱动强度的至少两倍。

8.根据权利要求6所述的方法，其中—

当所述电阻高于阈值量级时，所述输出信号基本上由所述第一信号源产生的第一信号确定；及

当所述电阻低于所述阈值量级时，所述输出信号基本上由所述第二信号源产生的第二信号确定。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括确定延伸穿过所述堆叠的第三部分的第三贯穿堆叠互连的所述电阻，其中—

确定所述多个第二贯穿堆叠互连的所述连通性基于所述第一及第三贯穿堆叠互连的所述所确定的电阻；及

所述堆叠的所述第二部分比所述堆叠的所述第三部分更不容易发生连通性缺陷。

10.根据权利要求9所述的方法，其中—

所述堆叠的所述第一部分与所述堆叠的第一边缘相邻；

所述堆叠的所述第二部分与所述堆叠的第二边缘相邻，与所述第一边缘相对；及

所述堆叠的所述第三部分侧向位于所述第一部分与所述第二部分之间。

11.一种用于测试延伸穿过半导体裸片堆叠的功能贯穿堆叠互连的连通性的方法，所述方法包括：

将具有第一驱动强度的第一信号从所述堆叠中的第一半导体裸片提供到测试贯穿堆叠互连；

将具有第二驱动强度的第二信号从所述堆叠中的第二半导体裸片提供到所述测试贯穿堆叠互连；

接收指示所述测试贯穿堆叠互连的所得电压的信号，所述所得电压在所述第一半导体裸片处确定；

当指示所述所得电压的所述信号具有第一状态时，确定基本上所有所述功能贯穿堆叠互连均电连接；及

当指示所述所得电压的所述信号具有第二状态时，确定除了所述测试贯穿堆叠互连之外的所述功能贯穿堆叠互连中的至少一者电断开连接。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一信号为p沟道上拉信号，其中所述第二电压为n沟道下拉信号，且其中所述第一驱动强度大于所述第二驱动强度。