[发明专利]具有高温阻挡性能的α-Ta涂层的制备方法

权利要求书

1.具有高温阻挡性能的α-Ta涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

以高纯Ta材料作为磁控溅射靶材，采用直流磁控溅射方法，在洁净的硅衬底表面进行溅射，背底真空度为2*10^-3Pa以下，工作气压为0.2～0.4Pa，以氩气作为溅射气体，溅射功率为150±10W，衬底进行400℃～500℃的加热，氩气流量为30～40sccm。

2.Cu/Ta/Si涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1，α-Ta涂层的制备：以高纯Ta材料作为磁控溅射靶材，采用直流磁控溅射方法，在洁净的硅衬底表面进行溅射，背底真空度为2*10^-3Pa以下，工作气压为0.2～0.4Pa，以氩气作为溅射气体，溅射功率为150±10W，衬底进行400℃～500℃的加热，氩气流量为30～40sccm；

步骤2，Cu导电表面层的制备：以高纯Cu材料作为磁控溅射靶材，采用直流磁控溅射方法，在步骤1中得到的α-Ta涂层表面进行溅射，背底真空度为2*10^-3Pa以下，溅射功率为15～50W，工作气压为0.2～0.4Pa，溅射气体为高纯氩气，氩气流量为30～40sccm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的硅衬底在进行磁控溅射前使用无水乙醇超声清洗。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，硅衬底的加热电流为5A。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的高纯Ta材料为纯度≥99.95％的Ta材料。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的氩气为纯度≥99.999％的高纯氩气。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的溅射时间为30～120min。