[发明专利]一种芯片及其外置RSET电阻开路监测电路有效

专利信息
申请号: 201910433031.9 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN110221644B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 吴斯敏;殷晓文;杜黎明;孙洪军;乔永庆 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 201199 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 及其 外置 rset 电阻 开路 监测 电路
【权利要求书】:

1.一种芯片的外置RSET电阻开路监测电路,其特征在于,包括:检测电流注入支路、电压检测支路和逻辑判断支路;其中:

所述检测电流注入支路、所述电压检测支路和所述逻辑判断支路均设置于芯片内部;

所述检测电流注入支路的输出端、所述芯片中偏置电路的输出端以及所述芯片中运算放大器的反相输入端相连,连接点作为所述芯片的偏置端口,所述偏置端口用于通过外置的RSET电阻接地;

所述检测电流注入支路用于输出检测电流至所述偏置端口,所述检测电流小于预设值;

所述电压检测支路的输入端与所述偏置端口或者所述运算放大器的输出端相连;所述电压检测支路用于检测所述偏置端口的电压或者所述运算放大器的输出端电压;

所述逻辑判断支路的输入端与所述电压检测支路的输出端相连,所述逻辑判断支路用于对所述偏置端口的电压或者所述运算放大器的输出端电压进行判断,并在所述偏置端口的电压为高电平或者所述运算放大器的输出端电压为低电平时,生成所述偏置端口外部悬空的监测结果;

下拉电流引出支路,用于从所述偏置电路中引出一个下拉电流,所述下拉电流小于等于所述检测电流;所述下拉电流引出支路的输出端接地,所述下拉电流引出支路的输入端与所述偏置电路的输入端相连。

2.根据权利要求1所述的芯片的外置RSET电阻开路监测电路,其特征在于,所述检测电流注入支路包括第一电流源;所述第一电流源的输出端为所述检测电流注入支路的输出端,所述第一电流源的输入端为所述检测电流注入支路的输入端。

3.根据权利要求1或2所述的芯片的外置RSET电阻开路监测电路,其特征在于,所述预设值小于1μA。

4.根据权利要求1所述的芯片的外置RSET电阻开路监测电路,其特征在于,所述下拉电流等于所述检测电流。

5.根据权利要求1所述的芯片的外置RSET电阻开路监测电路,其特征在于,所述下拉电流引出支路包括第二电流源;所述第二电流源的输出端为所述下拉电流引出支路的输出端,所述第二电流源的输入端为所述下拉电流引出支路的输入端。

6.一种芯片,其特征在于,包括:偏置电路、运算放大器以及如权利要求1-5任一所述的芯片的外置RSET电阻开路监测电路;其中:

所述运算放大器的同相输入端接收基准电压;

所述运算放大器的反相输入端与所述偏置电路的输出端相连;

所述运算放大器的输出端与所述偏置电路的控制端相连;

所述芯片的偏置端口外接一个接地的RSET电阻。

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